特許
J-GLOBAL ID：201603006650878662
プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
井上 学
, 戸田 裕二
, 岩崎 重美
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-174525
公開番号（公開出願番号）：特開2014-036026
特許番号：特許第6014408号
出願日： 2012年08月07日
公開日（公表日）： 2014年02月24日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 真空容器内部の処理室内に配置された試料台の上部の中央部に配置された凸部の上面を構成する載置面上に載置されたウエハを、前記試料台内の電極に高周波電力を印加しつつ前記処理室内で生成したプラズマを用いて処理するプラズマ処理装置であって、
前記試料台が前記凸部の外周側に配置されたものであって低くされた段差部と、この段差部上に載せられたものであってその上面が前記プラズマに面する誘電体製リングとを備え、
この誘電体製リングは、前記凹み部表面に面する裏側の表面上に、当該誘電体製リングが前記段差部上に載せられた状態で前記凸部を囲んでリング状に配置された金属膜及び前記裏面において前記金属膜の全体を覆って配置された第一の誘電体膜を有したものであって、
前記金属膜は、前記誘電体製リングの前記裏面において内周端が前記試料台上面に載せられた前記ウエハの外周縁より前記試料台の中心側に位置するとともに、前記電極からの前記高周波電力が印加されるプラズマ処理装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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