【請求項1】 各々が光電変換素子と電界効果型のトランジスタとを含む複数の画素と、
前記光電変換素子の周辺領域に配設されると共に、前記トランジスタに接続された読み出し制御線および信号線とを備え、
前記光電変換素子は、基板上に、第1電極、第1の導電型半導体層、真性半導体層、第2の導電型半導体層および第2電極をこの順に有し、
前記読み出し制御線は、
前記トランジスタのゲート電極と電気的に接続されると共に、前記周辺領域のうちの一方向に沿って延在しつつ第1領域において分断された第1の配線層と、
前記第1の配線層と電気的に接続された状態で積層され、かつ前記第1領域に跨って配置されると共に、前記信号線と同層に設けられた第2の配線層とを有し、
前記第1電極は、前記第2の配線層と互いに異なる層に設けられると共に、前記第1領域において前記読み出し制御線側に張り出して設けられている
撮像装置。
H01L 27/146 ( 200 6.01)
, H01L 27/144 ( 200 6.01)
, H04N 5/374 ( 201 1.01)
, H04N 5/3745 ( 201 1.01)
, H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 21/3205 ( 200 6.01)
, H01L 21/768 ( 200 6.01)
, H01L 23/522 ( 200 6.01)