光電変換装置、エックス線撮像装置及び光電変換装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：上柳雅誉 , 須澤修 , 宮坂一彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-020000
公開番号（公開出願番号）：特開2011-159782
出願日： 2010年02月01日
公開日（公表日）： 2011年08月18日
要約：

【課題】構成を簡略化し、製造工程の簡略化を達成しながら、光電変換装置及び実装端子の電気的接続の信頼性を高めた光電変換装置を提供すること。【解決手段】本発明の光電変換装置は、フォトダイオード25及びTFT24がマトリクス状に配置され、周辺部に複数の外部接続端子が形成され、フォトダイオードは、光入射面を除いて表面が平坦化膜293によって直接被覆されており、一方の型の半導体層253が第1電極251を介してTFT24に接続され、他方の型の半導体層255がバイアス線23に直接接続され、バイアス線23がバイアス線用の外部接続端子に電気的に接続されており、バイアス線23は、透明導電性金属酸化物で形成され、光電変換装置の光の入射面の全面にわたって形成されていると共に、バイアス線用の外部接続端子まで延在されて前記バイアス線用の外部接続端子の最上部に配置されている。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

光検出領域にフォトダイオード及びTFTがマトリクス状に配置され、前記光検出領域の周辺部に複数の外部接続端子が形成され、前記フォトダイオードは、第1導電型の半導体層が第1電極を介して前記薄膜トランジスターのソース電極に電気的接続され、第2導電型の半導体層が電気的にバイアス線に接続され、前記バイアス線がバイアス線用の外部接続端子に電気的に接続されている光電変換装置であって、前記フォトダイオードは光入射面を除いて表面が有機絶縁膜によって直接被覆されており、前記バイアス線は、透明導電性金属酸化物で形成され、前記光検出領域の全面にわたって形成されていると共に、前記バイアス線用の外部接続端子まで延在されて前記バイアス線用の外部接続端子の最上部に配置されており、かつ、前記フォトダイオードの第2導電型の半導体層に直接接続されていることを特徴とする光電変換装置。

IPC (4件)：

H01L 27/146 , H01L 31/09 , G01T 1/20 , H01L 27/14

FI (6件)：

H01L27/14 C , H01L31/00 A , G01T1/20 E , G01T1/20 G , H01L27/14 K , H01L27/14 D

Fターム (28件)：

2G088GG19 , 2G088JJ05 , 2G088JJ31 , 2G088JJ33 , 2G088JJ37 , 4M118AA10 , 4M118AB01 , 4M118BA05 , 4M118CA05 , 4M118CA32 , 4M118CB06 , 4M118CB07 , 4M118CB11 , 4M118CB14 , 4M118EA14 , 4M118FB09 , 4M118FB13 , 4M118GA10 , 5F088AA03 , 5F088AB05 , 5F088BB04 , 5F088EA04 , 5F088EA08 , 5F088FA04 , 5F088FA05 , 5F088GA02 , 5F088JA17 , 5F088LA08

引用特許：

審査官引用 (4件)

変換装置、放射線検出装置、及び放射線検出システム
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-181890 出願人：キヤノン株式会社
イメージセンサ及びその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-121034 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
特開昭61-136262

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