特許
J-GLOBAL ID：201603007444833551
半導体装置の製造方法、基板処理装置、及びプログラム
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
ポレール特許業務法人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-068850
公開番号（公開出願番号）：特開2013-201300
特許番号：特許第6022785号
出願日： 2012年03月26日
公開日（公表日）： 2013年10月03日
請求項（抜粋）：
【請求項1】製品用基板を窒化処理する本処理工程と、製品用でないダミー基板を窒化処理する事前処理工程とを有し、前記本処理工程の前に前記事前処理工程を行う半導体装置の製造方法であって、
前記本処理工程は、
酸化膜が形成された前記製品用基板を処理室に収容する工程と、
前記処理室内に窒素を含有する処理ガスを供給する工程と、
前記処理室内の圧力を第1圧力、前記製品用基板の電位を第1電位にした状態で前記処理ガスをプラズマ励起して、前記製品用基板に形成された前記酸化膜を窒化処理する工程と、
前記製品用基板を前記処理室から搬出する工程と、を含み、
前記事前処理工程は、
酸化膜が形成された前記ダミー基板を前記処理室に収容する工程と、
前記処理室内に窒素を含有する前記処理ガスを供給する工程と、
前記処理室内の圧力を前記第1圧力よりも低い第2圧力、前記ダミー基板の電位を前記第1電位よりも低い第2電位にした状態で前記処理ガスをプラズマ励起して、前記ダミー基板に形成された前記酸化膜から放出される酸素原子を前記処理室の内壁に付着させる工程と、
前記ダミー基板を前記処理室から搬出する工程と、を含む、
半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/318 ( 200 6.01)
, H01L 21/31 ( 200 6.01)
H01L 21/318 C
, H01L 21/31 C
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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