特許
J-GLOBAL ID：201103020975758189

選択的プラズマ窒化処理方法及びプラズマ窒化処理装置

発明者：
門田 太一

門田 太一 について

, 
中村 秀雄

中村 秀雄 について

, 
北川 淳一

北川 淳一 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (2件)： 渡邊 和浩 ,  星宮 勝美
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-227637
公開番号（公開出願番号）：特開2011-077321
出願日： 2009年09月30日
公開日（公表日）： 2011年04月14日
要約：
【課題】 シリコン表面とシリコン化合物層とが露出した被処理体に対して、選択的にシリコンを高い窒化レートと高い窒素ドーズ量でプラズマ窒化処理する方法を提供する。【解決手段】 選択的プラズマ窒化処理は、処理圧力を66.7Pa以上667Pa以下の範囲内に設定し、載置台2の電極42に高周波電源44から被処理体の面積当り0.1W/cm2以上1.2W/cm2以下の高周波電力を供給して行う。この高周波電力によってウエハWへバイアス電圧が印加され、高いSi/SiO2選択比が得られる。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
シリコン表面とシリコン化合物層とが露出した被処理体をプラズマ処理装置の処理容器内で載置台に載置し、 前記処理容器内の圧力を66.7Pa以上667Pa以下の範囲内に設定し、 前記載置台に前記被処理体の面積当り0.1W/cm2以上1.2W/cm2以下の出力で高周波電力を供給して被処理体にバイアス電圧を印加しながら窒素含有プラズマを生成させ、 前記窒素含有プラズマによって前記シリコン表面を選択的に窒化処理し、シリコン窒化膜を形成する、 選択的プラズマ窒化処理方法。
IPC (5件)：
H01L 21/318 ,  H01L 29/792 ,  H01L 29/788 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/115
FI (4件)：
H01L21/318 A ,  H01L21/318 M ,  H01L29/78 371 ,  H01L27/10 434
Fターム (26件)：
5F058BA20 ,  5F058BB04 ,  5F058BC08 ,  5F058BD10 ,  5F058BF74 ,  5F058BH16 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ02 ,  5F083EP02 ,  5F083EP23 ,  5F083EP53 ,  5F083EP56 ,  5F083EP57 ,  5F083GA21 ,  5F083GA27 ,  5F083JA04 ,  5F083NA01 ,  5F083PR15 ,  5F101BA29 ,  5F101BA36 ,  5F101BA63 ,  5F101BB05 ,  5F101BD02 ,  5F101BD35 ,  5F101BF02 ,  5F101BH06
引用特許：
審査官引用 (3件)

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