半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：高田守 , 高橋英樹 , 久野淑己
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-132665
公開番号（公開出願番号）：特開2016-195271
出願日： 2016年07月04日
公開日（公表日）： 2016年11月17日
要約：

【課題】高発振耐量を実現することができる半導体装置を得る。【解決手段】n型ドリフト層1の上面にp型ベース層2が設けられている。p型ベース層2上に部分的にn型エミッタ層8が設けられている。n型エミッタ層8及びp型ベース層2を貫通するようにトレンチゲート10が設けられている。n型ドリフト層1の下面にp型コレクタ層12が設けられている。n型ドリフト層1とp型コレクタ層12の間にn型バッファ層4が設けられている。n型バッファ層4のピーク濃度は、n型ドリフト層1より高く、p型コレクタ層12より低く、n型バッファ層4のキャリア濃度は、n型ドリフト層1側からp型コレクタ層12側に向かって深さの指数関数で増加し、n型ドリフト層1とn型バッファ層4の接続部分におけるn型バッファ層4のキャリア濃度の傾斜が20〜2000cm-4である。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

n型ドリフト層と、前記n型ドリフト層の上面に設けられたp型ベース層と、前記p型ベース層上に部分的に設けられたn型エミッタ層と、前記n型エミッタ層及び前記p型ベース層を貫通するように設けられたトレンチゲートと、前記n型ドリフト層の下面に設けられたp型コレクタ層と、前記n型ドリフト層と前記p型コレクタ層の間に設けられたn型バッファ層とを備え、前記n型バッファ層のピーク濃度は、前記n型ドリフト層より高く、前記p型コレクタ層より低く、前記n型バッファ層のキャリア濃度は、前記n型ドリフト層側から前記p型コレクタ層側に向かって深さの指数関数で増加し、前記n型ドリフト層と前記n型バッファ層の接続部分における前記n型バッファ層の前記キャリア濃度の傾斜が20〜2000cm-4であることを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 29/861 , H01L 29/868 , H01L 29/739 , H01L 29/78 , H01L 29/06 , H01L 29/872 , H01L 27/04

FI (12件)：

H01L29/91 D , H01L29/78 655A , H01L29/78 655B , H01L29/78 652P , H01L29/06 301G , H01L29/06 301V , H01L29/78 655D , H01L29/78 652N , H01L29/78 655F , H01L29/06 301D , H01L29/86 301F , H01L29/78 657D

引用特許：

審査官引用 (9件)

高耐圧半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-049076 出願人：株式会社東芝
炭化珪素バイポーラ型半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-360245 出願人：関西電力株式会社, 財団法人電力中央研究所
特開昭59-110164

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