特許
J-GLOBAL ID:201603007775339310
成膜装置及び温度測定方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (5件):
勝沼 宏仁
, 関根 毅
, 赤岡 明
, 小川 眞一
, 中原 文彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2015-065729
公開番号(公開出願番号):特開2016-186960
出願日: 2015年03月27日
公開日(公表日): 2016年10月27日
要約:
【課題】温度測定精度の低下を抑えつつ、測定可能な下限温度を低くすることができる成膜装置及び温度測定方法を提供する。【解決手段】実施形態に係る成膜装置1は、基板Wを支持する支持部と、支持部を介して基板Wの中心を回転中心とし基板Wを面内方向に回転させる回転部と、基板W上にプロセスガスを供給するガス供給部と、排気ガスを排出する排気部と、基板Wを加熱する加熱部と、基板Wの表面の温度を測定する放射温度計10とを備える。この放射温度計10は、基板Wの表面に照射される照射光の光源10aと、基板Wの表面における回転中心から所定距離の第1の測定領域からの反射光L1aを受光する第1の受光部10fと、基板Wの表面における回転中心から前記所定距離で基板Wの回転方向に延伸した第2の測定領域からの熱輻射光L2を受光する第2の受光部10fとを具備する。【選択図】図2
請求項(抜粋):
基板を支持する支持部と、
前記支持部を介して前記基板の中心を回転中心とし前記基板を面内方向に回転させる回転部と、
前記基板上にプロセスガスを供給するガス供給部と、
排気ガスを排出する排気部と、
前記基板を加熱する加熱部と、
前記基板の表面の温度を測定する放射温度計と、
を備え、
前記放射温度計は、
前記基板の表面に照射される照射光の光源と、
前記基板の表面における前記回転中心から所定距離の第1の測定領域からの反射光を受光する第1の受光部と、
前記基板の表面における前記回転中心から前記所定距離で前記基板の回転方向に延伸した第2の測定領域からの熱輻射光を受光する第2の受光部と、
を具備することを特徴とする成膜装置。
IPC (4件):
H01L 21/205
, C23C 14/52
, C23C 16/44
, G01J 5/00
FI (5件):
H01L21/205
, C23C14/52
, C23C16/44 Z
, G01J5/00 101C
, G01J5/00 B
Fターム (43件):
2G066AB02
, 2G066AC07
, 2G066AC20
, 2G066BB02
, 2G066BC12
, 4K029AA06
, 4K029AA24
, 4K029BA58
, 4K029BB02
, 4K029BB09
, 4K029BD01
, 4K029CA02
, 4K029DA03
, 4K029DB03
, 4K029DB14
, 4K029DB18
, 4K029JA02
, 4K030AA11
, 4K030AA13
, 4K030BA08
, 4K030BA11
, 4K030BA38
, 4K030BB02
, 4K030BB12
, 4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030FA10
, 4K030GA06
, 4K030HA14
, 4K030JA10
, 4K030KA39
, 4K030LA14
, 5F045AA04
, 5F045AA05
, 5F045AA18
, 5F045AA19
, 5F045DP03
, 5F045DP28
, 5F045EK03
, 5F045EK09
, 5F045EK11
, 5F045EM10
, 5F045GB05
引用特許:
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