特許
J-GLOBAL ID：201603008094857149

半導体装置

発明者：
三 須 伸一郎

三 須 伸一郎 について

, 
中 村 和 敏

中 村 和 敏 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (3件)： 勝沼 宏仁 ,  関根 毅 ,  赤岡 明
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-188304
公開番号（公開出願番号）：特開2015-056482
特許番号：特許第5941448号
出願日： 2013年09月11日
公開日（公表日）： 2015年03月23日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1導電型の第1のベース層と、 前記第1のベース層上に設けられた第2導電型の第2のベース層と、 前記第2のベース層の前記第1のベース層と反対側に設けられた第1導電型の第1の半導体層と、 前記第1のベース層の前記第2のベース層と反対側に設けられた第2導電型の第2の半導体層と、 前記第1の半導体層および前記第2のベース層に第1絶縁膜を介して設けられた複数の第1電極と、 隣り合う前記第1電極の間に、前記第1の半導体層および前記第2のベース層に第2絶縁膜を介して設けられた第2電極と、 前記第2の半導体層に電気的に接続されたコレクタ電極と、 前記第1の半導体層および前記第2電極に電気的に接続されたエミッタ電極とを備え、 前記第2絶縁膜の膜厚は、前記第1絶縁膜の膜厚よりも薄いことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 29/739 ( 200 6.01) ,  H01L 29/06 ( 200 6.01)
FI (8件)：
H01L 29/78 652 L ,  H01L 29/78 652 D ,  H01L 29/78 652 F ,  H01L 29/78 655 A ,  H01L 29/78 652 J ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/06 301 M ,  H01L 29/06 301 V
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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