半導体発光素子

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：日向寺雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-027958
公開番号（公開出願番号）：特開2016-039361
出願日： 2015年02月16日
公開日（公表日）： 2016年03月22日
要約：

【課題】高効率の半導体発光素子を提供する。【解決手段】半導体発光素子は、金属層と、第1導電形の第1、第3半導体層と、第2導電形の第2、第4半導体層と、第1、第2発光層と、第1〜第6電極と、第1素子間配線部と、を含む。第1半導体層は、第3方向に延在した第1〜第3領域を含む。第2半導体層は、第1、第2領域と金属層との間に設けられる。第3半導体層は、第2方向に延在した第4〜第6領域を含む。第4半導体層は、第4、第5領域と金属層との間に設けられる。第1、第2電極は、第1、第2領域において第2半導体層と金属層との間に設けられる。第3電極は、第3領域と金属層との間に設けられる。第4、第5電極は、第4、第5領域において第4半導体層と金属層との間に設けられる。第6電極は、第6領域と金属層との間に設けられる。第1素子間配線部は、第2、第6電極と金属層との間に設けられる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

金属層と、前記金属層と第1方向に離間した第1導電形の第1半導体層であって、第1領域と、前記第1方向と交差する第2方向において前記第1領域と離間した第2領域と、前記第1領域と前記第2領域との間に設けられた第3領域と、を含み、前記第1領域、前記第2領域及び前記第3領域は前記第1方向と前記第2方向とに交差する第3方向に延在する第1半導体層と、前記第1領域と前記金属層との間、及び、前記第2領域と前記金属層との間に設けられた第2導電形の第2半導体層と、前記第1領域と前記第2半導体層との間、及び、前記第2領域と前記第2半導体層との間に設けられた第1発光層と、前記金属層と前記第1方向に離間し前記第2方向において前記第1半導体層と並ぶ前記第1導電形の第3半導体層であって、第4領域と、前記第3方向において前記第4領域と離間した第5領域と、前記第4領域と前記第5領域との間に設けられた第6領域と、を含み、前記第4領域、前記第5領域及び前記第6領域は前記第2方向に延在する第3半導体層と、前記第4領域と前記金属層との間、及び、前記5領域と前記金属層との間に設けられた前記第2導電形の第4半導体層と、前記第4領域と前記第4半導体層との間、及び、前記第5領域と前記第4半導体層との間に設けられた第2発光層と、前記第1領域において前記第2半導体層と前記金属層との間に設けられ前記第2半導体層と電気的に接続された第1電極と、前記第2領域において前記第2半導体層と前記金属層との間に設けられ前記第2半導体層と電気的に接続された第2電極と、前記第3領域と前記金属層との間に設けられ前記第3領域と電気的に接続された第3電極と、前記第4領域において前記第4半導体層と前記金属層との間に設けられ前記第4半導体層と電気的に接続された第4電極と、前記第5領域において前記第4半導体層と前記金属層との間に設けられ前記第4半導体層と電気的に接続された第5電極と、前記第6領域と前記金属層との間に設けられ前記第6領域と電気的に接続された第6電極と、前記第2電極と前記金属層との間、及び、前記第6電極と前記金属層との間に設けられ、前記第2電極と前記第6電極とを電気的に接続する第1素子間配線部と、を備えた半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/08 , H01L 33/38

FI (2件)：

H01L33/00 120 , H01L33/00 210

Fターム (16件)：

5F141AA03 , 5F141AA04 , 5F141CA04 , 5F141CA12 , 5F141CA40 , 5F141CA93 , 5F141CB15 , 5F141CB25 , 5F241AA03 , 5F241AA04 , 5F241CA04 , 5F241CA12 , 5F241CA40 , 5F241CA93 , 5F241CB15 , 5F241CB25

引用特許：

審査官引用 (2件)

光電素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-259153 出願人：晶元光電股ふん有限公司
多数チップ半導体LEDアセンブリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-139659 出願人：ルミレッズライティングユーエスリミテッドライアビリティカンパニー

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