ライントンネリングトンネル電界効果トランジスタ(TFET)及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (3件)：山田卓二 , 田中光雄 , 竹内三喜夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-114056
公開番号（公開出願番号）：特開2013-012723
特許番号：特許第6013777号
出願日： 2012年05月18日
公開日（公表日）： 2013年01月17日
請求項（抜粋）：

【請求項1】ドープされたソース領域(30)、ドープされたドレイン領域(22)、及び、ソース領域(30)とドレイン領域(22)との間に位置し、ソース領域(30)とソース-チャネル界面(201)を、ドレイン領域(22)とドレイン-チャネル界面(202)を形成するチャネル領域(21)、を有するソース-チャネル-ドレイン構造と、ソース領域(30)の少なくとも一部を長手方向(L)に沿って覆うゲート電極(24)であって、チャネル領域(21)及びドレイン領域(22)がゲート電極(24)によって覆われないようにした電極(24)と、ゲート電極(24)とソース領域(30)との間の長手方向(L)に沿ったゲート誘電体(29)とを備え、ソース領域(30)は、第1ドーピング型の第1ドーパント元素を用いた、第1ピーク濃度(1021)を有する第1ドーピングプロファイル(1011)でドープされた第1ソースサブ領域(20)と、さらに、第1ドーパント元素と同じ第1ドーピング型を有する第2ドーパント元素を用いた、第2ピーク濃度(1022)を有する第2ドーピングプロファイル(1012)でドープされた、ソース-チャネル界面(201)に近接する第2ソースサブ領域(25)とを含み、第1ソースサブ領域(20)と第2ソースサブ領域(25)との間で界面(1014)が規定され、第2ドーピングプロファイル(1012)の第2ピーク濃度(1022)は、第1ソースサブ領域(20)と第2ソースサブ領域(25)との間の界面(1014)の位置又は該界面に近接する位置での第1ドーピングプロファイル(1011)の最大ドーピングレベル(1023)より高い、トンネル電界効果トランジスタ(TFET)(100)。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ( 200 6.01) , H01L 29/06 ( 200 6.01) , H01L 29/66 ( 200 6.01)

FI (5件)：

H01L 29/78 622 , H01L 29/78 618 C , H01L 29/06 601 W , H01L 29/78 616 V , H01L 29/66 T

引用特許：

出願人引用 (1件)

ゲートトンネル障壁を持つトンネル電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-057424 出願人：アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ, カトリーケ・ウニフェルジテイト・ルーベン・カー・イュー・ルーベン・リサーチ・アンド・ディベロップメント

審査官引用 (1件)

ゲートトンネル障壁を持つトンネル電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-057424 出願人：アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ, カトリーケ・ウニフェルジテイト・ルーベン・カー・イュー・ルーベン・リサーチ・アンド・ディベロップメント

前のページに戻る