特許
J-GLOBAL ID：201603008595792853

電磁波シールド性支持基材付封止材及び封止後半導体素子搭載基板、封止後半導体素子形成ウエハ並びに半導体装置

発明者：
秋葉 秀樹

秋葉 秀樹 について

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中村 朋陽

中村 朋陽 について

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塩原 利夫

塩原 利夫 について

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山口 伸介

山口 伸介 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-226537
公開番号（公開出願番号）：特開2016-092275
出願日： 2014年11月07日
公開日（公表日）： 2016年05月23日
要約：
【課題】本発明は、大口径ウエハや無機、有機あるいは金属等の大面積基板を封止した場合、特には薄いものを封止する場合であっても、基板やウエハの反り、基板からの半導体素子の剥離、ウエハの破損を抑制でき、半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面、又は半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面を一括封止でき、かつ封止後には耐熱性や耐湿性等の信頼性、及び電磁波シールド性に優れるとともに、非常に汎用性、量産性、作業性、経済性に優れた支持基材付封止材を提供する。【解決手段】半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面又は半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面を一括封止するための支持基材付封止材であって、 前記支持基材付封止材が、100MHz〜1,000MHzの範囲において20dB以上の電磁波シールド性を有する支持基材に、封止材として熱硬化性樹脂層を積層した電磁波シールド性支持基材付封止材。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面又は半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面を一括封止するための支持基材付封止材であって、 前記支持基材付封止材が、100MHz〜1,000MHzの範囲において20dB以上の電磁波シールド性を有する支持基材に、封止材として熱硬化性樹脂層を積層したものであることを特徴とする電磁波シールド性支持基材付封止材。
IPC (4件)：
H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 23/28 ,  H01L 23/00
FI (3件)：
H01L23/30 R ,  H01L23/28 F ,  H01L23/00 C
Fターム (14件)：
4M109AA01 ,  4M109BA07 ,  4M109CA26 ,  4M109EA02 ,  4M109EA10 ,  4M109EA11 ,  4M109EA12 ,  4M109EB02 ,  4M109EB03 ,  4M109EB09 ,  4M109EB12 ,  4M109EB13 ,  4M109EB19 ,  4M109EE07
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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