特許
J-GLOBAL ID：201603008773200450

赤外線発光素子及び赤外線発光素子の製造方法

発明者：
長谷川 亮介

長谷川 亮介 について

, 
勝間田 尭

勝間田 尭 について


出願人/特許権者：
旭化成エレクトロニクス株式会社

旭化成エレクトロニクス株式会社 について


代理人 (2件)： 森 哲也 ,  田中 秀▲てつ▼
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-027610
公開番号（公開出願番号）：特開2016-152259
出願日： 2015年02月16日
公開日（公表日）： 2016年08月22日
要約：
【課題】発光強度のより優れた赤外線発光素子を提供する。【解決手段】半導体基板10上に形成される化合物半導体積層部20を、半導体基板10側から、n型ドーピングされたInSbからなる第1の化合物半導体層21、n型ドーピングされたAlInSbからなる第2の化合物半導体層22、ノンドープであり第2の化合物半導体層22と同一組成のAlInSbからなる活性層23、p型ドーピングされたAlInSbからなるワイドバンドギャップ層24、及びp型ドーピングされた第2の化合物半導体層22と同一組成のAlInSbからなる第3の化合物半導体層25が、この順に積層された構成とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板と、当該半導体基板上に形成される化合物半導体積層部とを備え、 前記化合物半導体積層部は、前記半導体基板側から、n型ドーピングされたInSbからなる第1の化合物半導体層、n型ドーピングされたAlInSbからなる第2の化合物半導体層、ノンドープであり前記第2の化合物半導体層と同一組成のAlInSbからなる活性層、及びp型ドーピングされた前記第2の化合物半導体層と同一組成のAlInSbからなる第3の化合物半導体層が、この順に積層されてなる赤外線発光素子。
IPC (1件)：
H01L 33/30
FI (1件)：
H01L33/00 184
Fターム (20件)：
5F141AA04 ,  5F141AA14 ,  5F141CA03 ,  5F141CA34 ,  5F141CA65 ,  5F141CA66 ,  5F141CA74 ,  5F141CB11 ,  5F141CB25 ,  5F141FF16 ,  5F241AA04 ,  5F241AA14 ,  5F241CA03 ,  5F241CA34 ,  5F241CA65 ,  5F241CA66 ,  5F241CA74 ,  5F241CB11 ,  5F241CB25 ,  5F241FF16
引用特許：
審査官引用 (1件)

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