特許
J-GLOBAL ID:201603009653294652

半導体集積回路、可変利得増幅器、及び、センサシステム

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 家入 健
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2014-203309
公開番号(公開出願番号):特開2016-072923
出願日: 2014年10月01日
公開日(公表日): 2016年05月09日
要約:
【課題】精度の高い可変利得増幅器を構成することが可能な半導体集積回路を提供すること。【解決手段】一実施の形態によれば、一実施の形態によれば、外部に設けられた抵抗素子R1の一端側に設けられたパッドPd1と、抵抗素子R1の他端に設けられたパッドとPd5と、オペアンプA1と、オペアンプA1の出力端子とパッドPd1との間に配線された信号線L11と、オペアンプA1の反転入力端子とパッドPd5との間に配線された信号線L21と、信号線L11に対して設けられたESD保護素子r11と、パッドPd1に接続され、パッドPd1の電圧信号が伝搬する信号線L31と、を備える。【選択図】図2
請求項(抜粋):
外部に設けられた第1抵抗素子の一端側に設けられた第1パッドと、 前記第1抵抗素子の他端側に設けられた第2パッドと、 オペアンプと、 前記オペアンプの出力端子と前記第1パッドとの間に配線された第1信号線と、 前記オペアンプの一方の入力端子と前記第2パッドとの間に配線された第2信号線と、 前記第1信号線に対して設けられた第1ESD保護素子と、 前記第1パッドに接続され、前記第1パッドの電圧信号が伝搬する第3信号線と、を備えた半導体集積回路。
IPC (1件):
H03G 3/12
FI (1件):
H03G3/12 D
Fターム (4件):
5J100AA02 ,  5J100BA05 ,  5J100BB09 ,  5J100BC05
引用特許:
審査官引用 (1件)
  • 電流・電圧変換回路
    公報種別:公表公報   出願番号:特願2003-575128   出願人:メドトロニック・インコーポレーテッド

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