TiN膜の成膜方法および記憶媒体

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高山宏志
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-000444
公開番号（公開出願番号）：特開2013-139609
特許番号：特許第5872904号
出願日： 2012年01月05日
公開日（公表日）： 2013年07月18日
請求項（抜粋）：

【請求項1】被処理基板に形成されたエッチング対象膜をエッチングするためのメタルハードマスクとして成膜されるTiN膜の成膜方法であって、被処理基板を処理容器内に搬入し、前記処理容器内を減圧状態に保持した状態で、TiCl4ガスおよび窒化ガスを前記処理容器内に供給し、これらガスのプラズマを生成してTiN単位膜を形成する工程と、前記処理容器内に窒化ガスを供給し、そのガスのプラズマを生成して前記TiN単位膜にプラズマ窒化処理を施す工程とを交互に複数回繰り返し、膜ストレスが低減されたTiN膜を成膜することを特徴とするTiN膜の成膜方法。

IPC (2件)：