半導体メモリ及びデータ読出方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：藤村元彦 , 永岡重幸 , 高野信司
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-091526
公開番号（公開出願番号）：特開2013-222232
特許番号：特許第5876364号
出願日： 2012年04月13日
公開日（公表日）： 2013年10月28日
請求項（抜粋）：

【請求項1】番地を示すアドレス信号に応じて前記番地に格納されているデータを読み出すメモリ部と、前記メモリ部から読み出された前記データを外部出力する出力部と、を含む半導体メモリであって、前記メモリ部の特定番地には前記データの外部出力を許可するか否か示す出力可否フラグが格納されており、前記出力部は、電源投入後、前記出力可否フラグが前記外部出力の許可を示し且つ前記特定番地を示す前記アドレス信号がクロック信号のクロック周期のN(Nは2以上の整数)倍の期間に亘り継続して供給されるまでの間は前記データの外部出力を禁止することを特徴とする半導体メモリ。

IPC (3件)：