特許

J-GLOBAL ID：201603010205251142

半導体装置

発明者： 秦 裕史 ,  亀山 悟 ,  岩崎 真也
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-198483
公開番号（公開出願番号）：特開2016-072359
出願日： 2014年09月29日
公開日（公表日）： 2016年05月09日
要約：

【課題】p型のウェル領域を利用して耐圧を高めるのと同時に、IGBTのスイッチング速度を高速化しても半導体装置に異常が生じない技術を提供する。【解決手段】同一半導体基板10にIGBTとダイオードが形成されている。半導体基板10には、アクティブ領域1aと、周辺領域4と、結晶欠陥領域が形成されている。アクティブ領域1aでは、半導体基板10の表面を平面視したときにIGBT領域2とダイオード領域3が並置され、周辺領域4は、アクティブ領域1aの周辺に位置し、表面からアノード領域より深い位置まで達しているとともに表面電極に導通しているp型のウェル領域を備えている。結晶欠陥領域では再結合中心が導入されて周囲の再結合中心の濃度よりも高くなっている。結晶欠陥領域が、ダイオード領域3の長手方向に沿って、ダイオード領域3から周辺領域4にまで連続して延びている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

同一半導体基板にIGBTとダイオードが形成されている半導体装置であり、半導体基板と、前記半導体基板の表面に形成されている表面電極と、前記半導体基板の裏面に形成されている裏面電極を備えており、 前記半導体基板に、アクティブ領域と、周辺領域と、再結合中心導入領域が形成されており、 前記アクティブ領域では、前記半導体基板の前記表面を平面視したときにIGBT領域とダイオード領域が並置されており、 前記ダイオード領域では、前記表面電極に導通するアノード領域と、前記裏面電極に導通するカソード領域と、前記アノード領域と前記カソード領域の間に位置するダイオードドリフト領域が形成されており、 前記周辺領域は、前記半導体基板の前記表面を平面視したときに前記アクティブ領域の周辺に位置しており、前記半導体基板の前記表面から前記アノード領域より深い位置まで達しているとともに前記表面電極に導通しているp型のウェル領域と、前記ウェル領域の裏面側に位置しているとともに前記ダイオードドリフト領域と繋がっている周辺ドリフト領域を備えており、 前記再結合中心導入領域では再結合中心が導入されて周囲の再結合中心の濃度よりも高くなっており、前記再結合中心導入領域が、前記ダイオード領域の長手方向に沿って、前記ダイオードドリフト領域から前記周辺ドリフト領域にまで連続して延びている、 半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/739 ,  H01L 27/04 ,  H01L 29/861 ,  H01L 29/868 ,  H01L 21/322

FI (8件)：

H01L29/78 658H ,  H01L29/78 655F ,  H01L29/78 657D ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/91 C ,  H01L29/91 J ,  H01L29/78 658A ,  H01L21/322 L

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-080183   出願人：株式会社デンソー