特許
J-GLOBAL ID：201603010275105844

遷移金属バッファ層を備えるナノワイヤを含む電子デバイス、少なくとも1つのナノワイヤを成長させる方法、及びデバイスの製造方法

発明者：
ヨト,べランジェール

ヨト,べランジェール について

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アムスタット,ブノワ

アムスタット,ブノワ について

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アルマン,マリー-フランソワーズ

アルマン,マリー-フランソワーズ について

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デュポン,フローリアン

デュポン,フローリアン について


出願人/特許権者：
コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ エナジーズ アルタナティブス

コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ エナジーズ アルタナティブス について

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アレディア

アレディア について


代理人 (5件)： 平木 祐輔 ,  関谷 三男 ,  渡辺 敏章 ,  松丸 秀和 ,  今村 健一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-538471
公開番号（公開出願番号）：特表2016-504752
出願日： 2013年10月25日
公開日（公表日）： 2016年02月12日
要約：
電子デバイスは、基板(1)と、少なくとも1つの半導体ナノワイヤ(2)と、基板(1)とナノワイヤ(2)との間に介在するバッファ層(3)とを備える。バッファ層(3)は、少なくとも部分的に遷移金属窒化物からなる遷移金属窒化物層(9)によって形成され、ここから、ナノワイヤ(2)が延び出す。遷移金属窒化物は、窒化バナジウム、窒化クロム、窒化ジルコニウム、窒化ニオブ、窒化モリブデン、窒化ハフニウム及び窒化タンタルから選択される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板(1)と、少なくとも1つの半導体ナノワイヤ(2)と、前記基板(1)と前記ナノワイヤ(2)との間に介在するバッファ層(3)とを備え、前記バッファ層(3)は、少なくとも部分的に遷移金属窒化物からなる遷移金属窒化物層(9)によって形成され、ここから、前記ナノワイヤ(2)が延び出し、前記遷移金属窒化物は、窒化バナジウム、窒化クロム、窒化ジルコニウム、窒化ニオブ、窒化モリブデン、窒化ハフニウム及び窒化タンタルから選択され、前記バッファ層(3)は、導電性を有し、前記基板(1)の少なくとも1つの導電性部分と前記ナノワイヤ(2)とを電気的に接触させる電子デバイス。
IPC (6件)：
H01L 29/06 ,  C23C 14/04 ,  C23C 14/06 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/16 ,  H01L 33/06
FI (7件)：
H01L29/06 601N ,  C23C14/04 Z ,  C23C14/06 A ,  H01L21/205 ,  H01L29/06 601W ,  H01L33/00 160 ,  H01L33/00 112
Fターム (23件)：
4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA58 ,  4K029BB03 ,  4K029BD01 ,  4K029CA06 ,  4K029DC03 ,  4K029DC34 ,  4K029EA03 ,  4K029EA04 ,  4K029EA08 ,  5F045AB14 ,  5F045AC12 ,  5F045AF03 ,  5F045CA10 ,  5F045CB02 ,  5F045DA53 ,  5F045DA56 ,  5F241AA41 ,  5F241CA05 ,  5F241CA22 ,  5F241CA40 ,  5F241CB36
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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