特許
J-GLOBAL ID：201603010559783893
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北野 好人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-136649
公開番号（公開出願番号）：特開2014-003114
特許番号：特許第5895729号
出願日： 2012年06月18日
公開日（公表日）： 2014年01月09日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板の製品領域上に第1の配線構造体を形成し、前記製品領域の周囲に配置されたスクライブ領域上に第2の配線構造体を形成する工程と、
前記第1の配線構造体及び前記第2の配線構造体が形成された前記半導体基板上に、前記第1の配線構造体及び前記第2の配線構造体を覆う絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜を形成する工程の後、前記第1の配線構造体を露出する第1の開口部と、前記第2の配線構造体を露出する第2の開口部と、前記半導体基板の端部領域を露出する第3の開口部とを形成する工程と、
前記絶縁膜上、前記第1の開口部内、前記第2の開口部内及び前記第3の開口部内に、第1の導電膜を形成する工程と、
電解めっきにより、前記第1の導電膜をシードとして、前記第1の導電膜上に第2の導電膜を形成する工程とを有し、
前記第2の導電膜を形成する工程では、前記半導体基板の前記端部領域から前記半導体基板及び前記第1の配線構造体を介して前記第1の導電膜に電解めっき用の電圧を印加する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/3205 ( 200 6.01)
, H01L 21/768 ( 200 6.01)
, H01L 23/522 ( 200 6.01)
, H01L 21/60 ( 200 6.01)
H01L 21/88 S
, H01L 21/92 604 M
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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