特許
J-GLOBAL ID：201603011245363853
抵抗変化型メモリ及び抵抗変化素子のフォーミング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
工藤 実
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-137826
公開番号（公開出願番号）：特開2014-002820
特許番号：特許第5909155号
出願日： 2012年06月19日
公開日（公表日）： 2014年01月09日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1電極、第2電極、及び前記第1電極と前記第2電極とに挟まれた抵抗変化層を備える抵抗変化素子と、
前記抵抗変化素子に対する電圧印加を制御する制御回路と
を備え、
前記第2電極の材料は、W、Ti、Ta及びこれらの窒化物からなる群から選択される1つを含み、
前記抵抗変化素子のフォーミング時、前記制御回路は、第1フォーミング処理に続いて第2フォーミング処理を行い、
前記第1フォーミング処理は、前記第1電極の電位が前記第2電極の電位より高くなるような電圧印加を行うことを含み、
前記第2フォーミング処理は、前記第2電極の電位が前記第1電極の電位より高くなるような電圧印加を行うことを含み、
前記第1電極の酸化物生成自由エネルギーは、前記第2電極の酸化物生成自由エネルギーより低い
抵抗変化型メモリ。
IPC (1件)：
FI (3件)：
G11C 13/00 480 F
, G11C 13/00 215
, G11C 13/00 230
