特許

J-GLOBAL ID：200903062197291754

可変抵抗素子とその製造方法及び不揮発性半導体記憶装置

発明者： 玉井 幸夫 ,  細井 康成 ,  粟屋 信義 ,  大西 茂夫 ,  石原 数也 ,  島 久 ,  高野 史好 ,  秋永 広幸
出願人/特許権者： シャープ株式会社 ,  独立行政法人産業技術総合研究所
代理人 (1件)： 政木 良文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-292763
公開番号（公開出願番号）：特開2008-306157
出願日： 2007年11月12日
公開日（公表日）： 2008年12月18日
要約：

【課題】 高速且つ低消費電力動作が可能な可変抵抗素子を提供する。【解決手段】 第1電極11と第2電極12の間に金属酸化物層10を有し、第1及び第2電極間への電気的ストレスの印加に応じて、第1及び第2電極間の電気抵抗が可逆的に変化する可変抵抗素子であって、金属酸化物層10が第1及び第2電極間を流れる電流の電流密度が局所的に高くなる電流経路であるフィラメント13を有し、第1電極と第2電極の内の少なくとも何れか一方の特定電極11と金属酸化物層10の界面であって、少なくとも特定電極11とフィラメント13の界面近傍を含む一部に、特定電極11に含まれる少なくとも1つの元素の酸化物であって、金属酸化物層10の酸化物とは異なる界面酸化物15を備える。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

第1電極と第2電極の間に金属酸化物層を有し、前記第1及び第2電極間への電気的ストレスの印加に応じて、前記第1及び第2電極間の電気抵抗が可逆的に変化する可変抵抗素子であって、 前記金属酸化物層が、前記第1及び第2電極間を流れる電流の電流密度が局所的に高くなる電流経路であるフィラメントを有し、 前記第1電極と前記第2電極の内の少なくとも何れか一方の特定電極と前記金属酸化物層の界面であって、少なくとも前記特定電極と前記フィラメントの界面近傍を含む一部に、前記特定電極に含まれる少なくとも1つの元素である特定元素の酸化物であって、前記金属酸化物層の酸化物とは異なる界面酸化物を備えることを特徴とする可変抵抗素子。

IPC (3件)：

H01L 27/10 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00

FI (3件)：

H01L27/10 451 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z

Fターム (13件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA01 ,  5F083GA05 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA60 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083LA07 ,  5F083LA10 ,  5F083PR04 ,  5F083PR22

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 米国特許第6204139号明細書
  
• 一つのスイッチング素子と一つの抵抗体とを含む不揮発性メモリ装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-164659   出願人：三星電子株式会社

審査官引用 (2件)

• 記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-037861   出願人：ソニー株式会社
• スイッチング素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-235131   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所