特許
J-GLOBAL ID:201603011412129981
二次イオン質量分析装置および二次イオン質量分析方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
片山 修平
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-186862
公開番号(公開出願番号):特開2014-044124
特許番号:特許第6024292号
出願日: 2012年08月27日
公開日(公表日): 2014年03月13日
請求項(抜粋):
【請求項1】 イオンビームを試料表面に照射し、前記イオンビームを前記試料表面にスキャンさせるスキャン機構と、前記イオンビームの前記試料表面への照射を遮断する遮断機構と、を備える照射部と、
前記イオンビームにより前記試料表面から放出された二次イオンを検出する検出部と、
前記試料表面内のイオンビームが照射される第1領域を時間とともに連続的に縮小させるように前記照射部を制御する制御部と、
を具備し、
前記スキャン機構は、前記イオンビームをスキャンさせる領域を一定とし、
前記遮断機構が前記イオンビームを遮断しないときに前記スキャン機構が前記イオンビームをスキャンさせる前記試料表面が前記第1領域であることを特徴とする二次イオン質量分析装置。
IPC (3件):
G01N 27/62 ( 200 6.01)
, G01N 23/225 ( 200 6.01)
, H01J 49/10 ( 200 6.01)
FI (3件):
G01N 27/62 E
, G01N 23/225 324
, H01J 49/10
引用特許:
出願人引用 (6件)
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特開昭63-236252
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特開平1-265154
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深さ方向の元素濃度分析方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2007-073070
出願人:富士通株式会社
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審査官引用 (4件)