特許
J-GLOBAL ID：201603011525904019

メモリコントローラ,データ記憶装置およびメモリの制御方法

発明者：
竹内 健

竹内 健 について

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宮地 幸祐

宮地 幸祐 について

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上口 光

上口 光 について

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藤井 裕大

藤井 裕大 について


出願人/特許権者：
国立大学法人 東京大学

国立大学法人 東京大学 について


代理人 (1件)： 特許業務法人アイテック国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-030798
公開番号（公開出願番号）：特開2013-168015
特許番号：特許第5971547号
出願日： 2012年02月15日
公開日（公表日）： 2013年08月29日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 複数のセクタからなるページ単位で記憶領域に記憶されているデータを読み出して該読み出したデータをセクタ単位で書き換えた後にページ単位でデータを書き込む書き込み動作によりデータの書き込みが可能な不揮発性メモリとして構成された第1メモリと、前記第1メモリより高速にデータの書き込みが可能なランダムアクセスメモリとして構成された第2メモリと、を制御するメモリコントローラであって、 書き込みデータと該書き込みデータの書き込みを要求する書き込み要求信号とが入力されたとき、前記書き込みデータを前記第1メモリに書き込んだときに所定範囲の記憶領域におけるデータを記憶可能な領域のサイズに対する前記書き込みデータの記憶に利用されるセクタのサイズの割合であるデータ利用率が所定率以上であるときには前記入力された書き込みデータが前記書き込み動作により前記第1メモリに書き込まれるよう前記第1メモリと前記第2メモリとを制御し、前記データ利用率が前記所定率未満であるときには前記入力された書き込みデータが第2メモリに記憶されるよう前記第1メモリと前記第2メモリとを制御する制御部、 を備えるメモリコントローラ。
IPC (3件)：
G06F 12/16 ( 200 6.01) ,  G06F 12/00 ( 200 6.01) ,  G06F 12/06 ( 200 6.01)
FI (4件)：
G06F 12/16 310 A ,  G06F 12/00 597 U ,  G06F 12/06 515 J ,  G06F 12/06 522 D
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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