不揮発メモリシステム及び不揮発メモリ制御方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長石富夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-318417
公開番号（公開出願番号）：特開2008-134685
出願日： 2006年11月27日
公開日（公表日）： 2008年06月12日
要約：

【課題】電池不使用、ランダムなライトアクセス可能、実用上の書込回数制限無し、ビット単価が安価といった条件を満たす不揮発メモリシステムおよび不揮発メモリ制御方法を提供する。【解決手段】NOR型のフラッシュメモリからなる第1不揮発メモリ11と、第1不揮発メモリ11に記憶されるデータの一部を記憶するためのランダムアクセス可能な第2不揮発メモリ12(たとえばFeRAMで構成)とを設け、制御部14は、外部からデータのライト命令を受けたとき、そのライトアドレスに対応する前記第1不揮発メモリ11内の領域にライトデータと同一データが記憶されていないことを条件に、ライトデータをライトアドレスに関連付けて第2不揮発メモリ12へ書き込むと共に、所定の起動条件の成立時に第2不揮発メモリ12内のデータをセクタ単位に第1不揮発メモリ11へ書き移す整合処理を行う。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

データの書き込みがセクタ単位での書き込みに制限された第1不揮発メモリと、前記第1不揮発メモリに記憶されるデータの一部を記憶するためのランダムアクセス可能な第2不揮発メモリと、前記第1不揮発メモリと前記第2不揮発メモリに対するデータのリード・ライト動作を制御する制御部と、を備え、前記制御部は、外部から前記第1不揮発メモリに対するデータのライト命令を受けたとき、前記ライト命令で指定されたライトアドレスに対応する前記第1不揮発メモリ内の領域に前記ライト命令に係るライトデータと同一のデータが記憶されていないことを条件に、前記ライトデータを前記ライトアドレスに関連付けて前記第2不揮発メモリへ書き込み、所定の起動条件の成立により、前記第2不揮発メモリ内のデータを前記セクタ単位に前記第1不揮発メモリへ書き移す整合処理を行うことを特徴とする不揮発メモリシステム。

IPC (4件)：

G06F 12/00 , G06F 12/16 , G11C 16/02 , G11C 11/22

FI (7件)：

G06F12/00 560B , G06F12/00 597U , G06F12/00 560G , G06F12/00 597Z , G06F12/16 310A , G11C17/00 601T , G11C11/22 501Z

Fターム (23件)：

5B018GA04 , 5B018HA23 , 5B018HA35 , 5B018LA06 , 5B018MA05 , 5B018NA01 , 5B018NA06 , 5B018QA15 , 5B060AA01 , 5B060AA09 , 5B060AC18 , 5B060CB01 , 5B060MM02 , 5B125CA01 , 5B125CA08 , 5B125CA27 , 5B125DD07 , 5B125DD09 , 5B125DE12 , 5B125DE17 , 5B125EA01 , 5B125EK02 , 5B125FA04

引用特許：

出願人引用 (1件)

キャッシュメモリ制御方法およびキャッシュメモリ制御装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-226989 出願人：松下電器産業株式会社

審査官引用 (7件)

メモリ・コントローラおよびメモリに書き込む方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2004-563431 出願人：コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィ
不揮発性メモリを備えた装置及びメモリコントロ-ラ
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-115701 出願人：株式会社東芝
メモリコントローラ,メモリ装置及びメモリコントローラの制御方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-275651 出願人：株式会社東芝

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