特許
J-GLOBAL ID：201603011692832321
プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
井上 学
, 戸田 裕二
, 岩崎 重美
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-144904
公開番号（公開出願番号）：特開2014-011215
特許番号：特許第5975755号
出願日： 2012年06月28日
公開日（公表日）： 2014年01月20日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 真空容器内部に配置され減圧された内側でプラズマが形成される処理室と、この処理室内の下部に配置されその上面に前記プラズマを用いた処理の対象の試料が載置される試料台と、この試料台上部の前記試料がその上に載せられる載置面を構成する誘電体製の誘電体膜と、この誘電体膜の内部に配置され前記試料をこの誘電体膜上に吸着して保持するための電力が供給される複数の電極とを備え、
前記試料が前記試料台上に載置された状態で前記複数の電極のうちの少なくとも1つに電力を供給して前記試料の中心側の一部分を吸着して所定の温度になるまで前記試料の温度を加熱した後前記複数の電極のうちの前記1つの電極の外周側でこれを囲んで配置された他の電極に電力を供給してこの試料を広い範囲で吸着した後に前記プラズマを用いてこの試料の処理を開始するプラズマ処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/3065 ( 200 6.01)
, H01L 21/31 ( 200 6.01)
, H01L 21/683 ( 200 6.01)
H01L 21/302 101 G
, H01L 21/31 C
, H01L 21/68 P
