特許

J-GLOBAL ID：201603011774413971

半導体装置及びその製造方法

発明者： 藤井 秀紀
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (3件)： 高田 守 ,  高橋 英樹 ,  久野 淑己
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-113124
公開番号（公開出願番号）：特開2014-232803
特許番号：特許第5842866号
出願日： 2013年05月29日
公開日（公表日）： 2014年12月11日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 半導体基板と、 前記半導体基板の表面上に形成された第1の絶縁膜と、 前記第1の絶縁膜上に形成された温度センスダイオードと、 前記半導体基板の前記表面から内部にのびるトレンチ内に第2の絶縁膜を介して埋め込まれ、前記温度センスダイオードに接続されたトレンチ電極とを備え、 前記温度センスダイオードはn+型層、p+型層、及びn-型層を有し、 前記トレンチ電極は前記n+型層に接続され、 前記トレンチ電極は、前記n+型層と一体的に形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 27/04 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 21/822 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8234 ( 200 6.01) ,  H01L 27/06 ( 200 6.01) ,  G01K 1/18 ( 200 6.01) ,  H01L 29/739 ( 200 6.01) ,  H01L 29/86 ( 200 6.01)

FI (8件)：

H01L 29/78 657 A ,  H01L 27/04 A ,  H01L 27/06 102 A ,  H01L 27/04 H ,  G01K 1/18 ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 655 Z ,  H01L 29/86 Z

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-106917   出願人：トヨタ自動車株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-056317   出願人：富士電機株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-389626   出願人：株式会社豊田自動織機
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-014914   出願人：三菱電機株式会社