特許
J-GLOBAL ID：201203084009217053

半導体装置

発明者：
杉 祥夫

杉 祥夫 について

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大西 泰彦

大西 泰彦 について

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武井 学

武井 学 について


出願人/特許権者：
富士電機株式会社

富士電機株式会社 について


代理人 (1件)： 松本 洋一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-056317
公開番号（公開出願番号）：特開2012-195339
出願日： 2011年03月15日
公開日（公表日）： 2012年10月11日
要約：
【課題】半導体装置の定格温度(-50°C〜+150°C)において高精度の温度検出を行うことのできる半導体装置を提供すること。【解決手段】n型基板1の第1主面に、p型ベース領域3と該ベース領域3表面層のn型エミッタ領域4と、前記基板1からなるn型ドリフト層1表面と前記エミッタ領域4表面とに挟まれるp型ベース領域3表面上にゲート酸化膜7を介して設けられるゲート電極8と、前記エミッタ領域4表面と前記ベース領域3表面に共通に接触するエミッタ電極6と、第2主面のp型コレクタ層2とを有するIGBTと、該IGBTに離間して第1主面に形成されるn型ウェル領域15表面層にn型カソード領域11とp型アノード領域12を有する温度センサダイオードを備え、前記n型ウェル領域15がp型ウェル領域16の表面層に形成され、前記温度センサダイオードのライフタイムが1μs以下に設定されている半導体装置とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1導電型半導体基板の第1主面に、第2導電型ベース領域と、該第2導電型ベース領域の表面層に設けられる第1導電型エミッタ領域と、前記第1導電型半導体基板からなる第1導電型ドリフト層の表面と前記第1導電型エミッタ領域表面とに挟まれる第2導電型ベース領域表面上にゲート酸化膜を介して設けられるゲート電極と、前記第1導電型エミッタ領域表面および前記第2導電型ベース領域表面に共通に接触するエミッタ電極と、第2主面に設けられる第2導電型コレクタ層とを有するIGBTと、該IGBTに対して離間して前記第1導電型半導体基板の第1主面に形成される第1導電型ウェル領域内の表面層にそれぞれ離間して形成される第1導電型カソード領域と第2導電型アノード領域からなる温度センサダイオードを備える半導体装置において、前記第1導電型ウェル領域が第2導電型ウェル領域の表面層に形成され、前記温度センサダイオードのホールおよび電子のライフタイムが1μs以下に設定されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (9件)：
H01L 29/78 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/739 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/06 ,  H01L 21/76 ,  H01L 21/822
FI (9件)：
H01L29/78 657F ,  H01L29/78 658H ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 655C ,  H01L29/78 657A ,  H01L27/08 102E ,  H01L27/06 311B ,  H01L29/78 652R ,  H01L27/04 H
Fターム (22件)：
5F038AV04 ,  5F038AZ08 ,  5F038BH04 ,  5F038BH16 ,  5F038CA02 ,  5F038CA08 ,  5F038EZ10 ,  5F038EZ20 ,  5F048AC06 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BB02 ,  5F048BB19 ,  5F048BC02 ,  5F048BC03 ,  5F048BC12 ,  5F048BD04 ,  5F048BD07 ,  5F048BE02 ,  5F048BE05 ,  5F048CB07 ,  5F048CC06
引用特許：
審査官引用 (2件)
  • スイッチングダイオード
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-135311   出願人：富士電機株式会社
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-029256   出願人：富士電機デバイステクノロジー株式会社

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