特許
J-GLOBAL ID：201603011862320410

半導体装置の製造方法

発明者：
川瀬 祐介

川瀬 祐介 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人深見特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-160553
公開番号（公開出願番号）：特開2014-022593
特許番号：特許第5959350号
出願日： 2012年07月19日
公開日（公表日）： 2014年02月03日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体支持基板と、前記半導体支持基板上に配置された埋め込み絶縁膜と、前記埋め込み絶縁膜上に配置された半導体層とを有する複合ウエハ基板を準備する工程と、 前記複合ウエハ基板の前記半導体層の表面から前記埋め込み絶縁膜に至る途中の位置まで前記半導体層に溝を形成する工程と、 少なくとも前記溝の側面と底面とを覆うように絶縁膜を形成する工程と、 ドライエッチングによって、前記溝の前記側面に前記絶縁膜を残しつつ、前記溝が前記埋め込み絶縁膜に達するように前記溝の前記底面を覆う前記絶縁膜と、前記溝の前記底面と前記埋め込み絶縁膜との間の前記半導体層とを除去する工程と、 前記溝内に充填体を充填する工程と、 前記溝が前記埋め込み絶縁膜に達した後であって前記充填体が充填される前に、前記溝の前記側面に熱酸化膜を形成する工程とを備えた、半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/76 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01)
FI (2件)：
H01L 21/76 L ,  H01L 29/78 621
引用特許：
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (11件)
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