特許
J-GLOBAL ID：201603012204892244
フォトマスクの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (17件)：
蔵田 昌俊
, 高倉 成男
, 河野 哲
, 中村 誠
, 福原 淑弘
, 峰 隆司
, 白根 俊郎
, 村松 貞男
, 野河 信久
, 幸長 保次郎
, 河野 直樹
, 砂川 克
, 井関 守三
, 佐藤 立志
, 岡田 貴志
, 堀内 美保子
, 竹内 将訓
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-095451
公開番号（公開出願番号）：特開2013-083920
特許番号：特許第6028378号
出願日： 2012年04月19日
公開日（公表日）： 2013年05月09日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 透光性基板の遮光性膜上に形成される所望パターンの非パターン部に第一被覆膜パターンを形成し、該第一被覆膜パターンを所定の材料を用いて第二被覆膜で被覆した後、該第二被覆膜の膜厚を前記第一被覆膜パターンの膜厚以下の膜厚まで減少させる工程を含むフォトマスクの製造方法であって、
前記第一被覆膜パターンは、所定膜厚のフォトマスクブランクにパターニングされたポジ型レジストのレジストパターンであり、
前記第二被覆膜は、導電性遷移金属のスパッタと液相成膜法とによる、二段階に成膜してなる遷移金属の酸化物もしくは窒化物もしくは酸窒化物であり、
前記第二被覆膜の膜厚を、研磨もしくは化学的研削処理によって前記第一被覆膜パターンの膜厚以下の膜厚まで減少させた後、前記第一被覆膜パターンを剥離し、前記第二被覆膜をハードマスクとし、前記遮光性膜に対して、パターニングされた前記第一被覆膜パターンとは逆のパターンを形成する工程を含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。
IPC (4件)：
G03F 1/76 ( 201 2.01)
, G03F 1/36 ( 201 2.01)
, H01L 21/027 ( 200 6.01)
, G03F 1/00 ( 201 2.01)
G03F 1/76
, G03F 1/36
, H01L 21/30 570
, G03F 1/00 Z
