特許
J-GLOBAL ID：201603012276144242
シリコン・フォトニクスプラットフォーム上でのフォトニックデバイスの共集積化方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (3件)：
山田 卓二
, 田中 光雄
, 竹内 三喜夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-106604
公開番号（公開出願番号）：特開2012-256869
特許番号：特許第5969811号
出願日： 2012年05月08日
公開日（公表日）： 2012年12月27日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 シリコンベースのフォトニクスプラットフォーム上で、フォトニックデバイス、Ge導波路一体型光検出器、およびハイブリッドIII-V/Siレーザの共集積化のための方法であって、
・パターン化したシリコン導波路構造を含むシリコンデバイスを備えた、平坦化したシリコンベースのフォトニクス基板を用意することと、
・誘電体層、例えば、SiO2層を、平坦化したシリコンベースのフォトニクス基板の上部に堆積することと、
・適切なエッチング深さで溝を前記誘電体層にエッチング形成して、前記フォトニクス基板のパターン化したシリコン導波路構造を露出させることと、
・露出した導波路を選択エッチングして、Ge成長用のテンプレートを作成し、薄いシリコン層をGe成長用のシード層として残すことと、
・意図的なGe過成長を伴って、前記シード層からGeを選択成長させることと、
・Ge表面を平坦化し、減少した厚さを持つGe層を残すことと、を含む方法。
IPC (3件)：
H01L 31/10 ( 200 6.01)
, G02B 6/12 ( 200 6.01)
, G02B 6/13 ( 200 6.01)
H01L 31/10 A
, G02B 6/12 301
, G02B 6/13
