特許

J-GLOBAL ID：201603012633534550

半導体集積回路

発明者： 松田 洋行 ,  浅野 正通 ,  汐留 俊介 ,  今井 保則
出願人/特許権者： 凸版印刷株式会社
代理人 (2件)： 松本 隆 ,  後藤 直哉
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-107119
公開番号（公開出願番号）：特開2013-236235
特許番号：特許第5906931号
出願日： 2012年05月08日
公開日（公表日）： 2013年11月21日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 第1の高電位電源ノードの電圧と低電位電源ノードの電圧の何れかを第1の動作指示信号の信号値に応じて選択し第1の論理信号として出力する一方、前記第1の高電位電源ノードよりも高い電圧の第2の高電位電源ノードの電圧と前記低電位電源ノードの電圧の何れか一方を第2の動作指示信号の信号値に応じて選択し第2の論理信号として出力するとともに、前記第2の高電位電源ノードの電圧と前記低電位電源ノードの何れかの電圧を前記第1および第2の動作信号の各々の信号値に応じて選択し第3の論理信号として出力するデコーダと、 前記第2の高電位電源ノード以上の電圧の第3の高電位電源ノードの電圧と、前記第3の高電位電源ノードの電圧と前記低電位電源ノードの電圧の中間の電圧と、の何れかを前記第1の論理信号に応じて選択し、第4の論理信号として出力するレベルシフタと、 前記第2の論理信号をバッファリングし、第5の論理信号として出力する一方、前記第3の論理信号をバッファリングし、第6の論理信号として出力するバッファと、 前記第3の高電位電源ノードの電圧、前記第1の高電位電源ノード電圧、および前記第3の高電位電源ノードの電圧とは異なり前記第1の高電位電源ノードの電圧とも異なる電圧のうちの何れかを前記第4、第5および第6の論理信号に応じて選択して出力する選択手段と、 を有することを特徴とする電圧切り替え回路。

IPC (2件)：

H03K 17/00 ( 200 6.01) ,  H03K 17/693 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H03K 17/00 F ,  H03K 17/693 A

引用特許：

出願人引用 (6件)

• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-016602   出願人：日本電気株式会社
• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-243535   出願人：日本電気株式会社
• 薄膜磁性体半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-111949   出願人：株式会社ルネサステクノロジ
• フラッシュメモリ及びレベル変換回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-060116   出願人：富士通株式会社
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-338890   出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
• 分割レベル論理回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-306467   出願人：日本電信電話株式会社