分析素子

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：特許業務法人谷・阿部特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-126025
公開番号（公開出願番号）：特開2013-250193
特許番号：特許第5846639号
出願日： 2012年06月01日
公開日（公表日）： 2013年12月12日
請求項（抜粋）：

【請求項1】光導波路のコア層及びクラッド層が共にSiO2系材料から構成されるSiO2系導波路を光検出導波路として使用する分析素子であって、前記光導波路は、少なくとも、光の入出射端面部分に設けられた埋め込み構造のテーパー導波路領域と、前記テーパー導波路領域と接続されたハイメサ構造の直線導波路領域とを有しており、前記コア層と前記クラッド層との比屈折率差が2.5%であり、前記光導波路の前記直線導波路領域の導波路幅が2.5μm以下であることを特徴とする分析素子。

IPC (3件)：