特許
J-GLOBAL ID：200903075219344584
光導波路型センサ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
山川 政樹
, 黒川 弘朗
, 山川 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-113120
公開番号（公開出願番号）：特開2005-300212
出願日： 2004年04月07日
公開日（公表日）： 2005年10月27日
要約：
【課題】全反射吸収分光法によるより小型な分析システムが構築できるようにする。【解決手段】モードフィールドサイズ変換領域120に続いて検出領域130が設けられ、検出領域130には、シリコン細線コア105からなる導波路が構成されている。シリコン細線コア105の上面には、膜厚20〜30nm程度の薄い酸化シリコン膜106が形成されている。シリコン細線コア105は、断面の寸法が幅500nm,高さ150nmとなっている。シリコン細線コア105は、検出領域130において、SOI基板の埋め込み酸化層112の上に配置されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
下部クラッド層と、
シリコンを含む材料からなり、前記下部クラッド層の上に形成されて前記下部クラッド層の平面方向の幅が前記下部クラッド層の平面の法線方向の高さより大きいコアと、
前記下部クラッド層と前記コアとから構成された導波路の光入射端と、
前記導波路の光出射端と
を少なくとも備え、
前記導波路は、シングルモード導波路であり、
前記コアの一部で検出領域が構成される
ことを特徴とする光導波路型センサ。
IPC (3件)：
G01N21/27
, G02B6/122
, G02B6/13
G01N21/27 C
, G02B6/12 A
, G02B6/12 M
2G059AA01
, 2G059BB04
, 2G059CC20
, 2G059EE01
, 2G059EE12
, 2G059HH01
, 2G059JJ17
, 2G059KK01
, 2G059LL02
, 2H047KA05
, 2H047KA12
, 2H047KA15
, 2H047MA05
, 2H047PA05
, 2H047PA22
, 2H047PA24
, 2H047QA02
, 2H047RA01
出願人引用 (1件)
審査官引用 (10件)
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特開昭62-050643
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全反射吸収測定装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平4-307368
出願人：日本電信電話株式会社
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光結合デバイス
公報種別：公開公報
出願番号：特願平6-314786
出願人：日本電信電話株式会社
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引用文献：
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