特許
J-GLOBAL ID：201603012883917498
金属配線と絶縁層との密着強度の改善する方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-184766
公開番号（公開出願番号）：特開2016-058592
出願日： 2014年09月11日
公開日（公表日）： 2016年04月21日
要約：
【課題】LSI多層配線基板へのダメージを与えず、該LSI多層配線内部の金属配線と絶縁層の密着強度を改善する方法を提供する。【解決手段】金属製配線を該配線の線膨張係数より小さい線膨張係数を持つ絶縁像で囲む構成物において、該構成物に加熱および冷却を繰返すことによって、金属製配線と絶縁層との密着強度を改善することを見出した。本構成物の代表例はLSI多層配線基板であり、配線基板中の金属製配線と絶縁層との密着強度が改善できる。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
金属製配線を該配線の線膨張係数より小さい線膨張係数を有する絶縁像で囲んだ構成に対して加熱と冷却とを繰り返すことによって、該金属製配線と該絶縁層との密着強度を改善する方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (11件)：
5F033HH08
, 5F033HH11
, 5F033HH13
, 5F033HH21
, 5F033QQ73
, 5F033QQ74
, 5F033QQ88
, 5F033RR04
, 5F033RR06
, 5F033WW00
, 5F033XX14
