特許

J-GLOBAL ID：201603012899890948

プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

発明者： 本川 剛治 ,  大岩 徳久 ,  出村 健介 ,  吉森 大晃 ,  家柳 誠 ,  嘉瀬 慶久 ,  東野 秀史
出願人/特許権者： 芝浦メカトロニクス株式会社
代理人 (5件)： 日向寺 雅彦 ,  小崎 純一 ,  市川 浩 ,  本間 惣一 ,  白井 達哲
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-071931
公開番号（公開出願番号）：特開2013-206971
特許番号：特許第6012995号
出願日： 2012年03月27日
公開日（公表日）： 2013年10月07日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な処理容器と、 前記処理容器の内部を所定の圧力まで減圧する減圧部と、 被処理物の載置側に設けられた凹部の内部に入ることで前記被処理物を含む領域の静電容量の面内分布および前記被処理物の温度の面内分布の少なくともいずれかを制御し、前記静電容量の面内分布および前記温度の面内分布の少なくともいずれかの均一化を図る制御部を有する部材と、 前記処理容器の内部に設けられ、上面に前記部材を載置または固定する載置部と、 前記被処理物のプラズマ処理を行うためのプラズマを発生させる領域に電磁エネルギーを供給するプラズマ発生部と、 前記プラズマを発生させる領域にプロセスガスを供給するガス供給部と、 を備え、 前記部材が前記載置部の上面に載置される場合には、 前記部材は、前記被処理物の載置側に設けられた凹部の内部に前記制御部を入れた状態で前記被処理物と共に搬送されることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (6件)：

H01L 21/3065 ( 200 6.01) ,  H01L 21/205 ( 200 6.01) ,  H01L 21/31 ( 200 6.01) ,  C23C 16/50 ( 200 6.01) ,  C23C 16/458 ( 200 6.01) ,  H05H 1/46 ( 200 6.01)

FI (7件)：

H01L 21/302 101 G ,  H01L 21/302 101 C ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C ,  C23C 16/50 ,  C23C 16/458 ,  H05H 1/46 M

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 半導体ウエハ保持装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-261044   出願人：株式会社アルバック
• テンプレートの製造装置及びテンプレートの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-221841   出願人：株式会社東芝
• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-269448   出願人：旭硝子株式会社
• フォトマスク用プラズマエッチング装置およびエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-153947   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (4件)

• 半導体ウエハ保持装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-261044   出願人：株式会社アルバック
• テンプレートの製造装置及びテンプレートの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-221841   出願人：株式会社東芝
• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-269448   出願人：旭硝子株式会社
• フォトマスク用プラズマエッチング装置およびエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-153947   出願人：株式会社東芝