特許
J-GLOBAL ID：201603012968089179
リソグラフィー用下層膜形成材料、リソグラフィー用下層膜及びパターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-528990
特許番号：特許第5979384号
出願日： 2012年08月09日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 下記一般式(1)で示される化合物を含有することを特徴とする、
(式(1)中、Xは、各々独立して、酸素原子又は硫黄原子であり、R1は、各々独立して、単結合又は炭素数1〜30の2n価の炭化水素基であり、該炭化水素基は、環式炭化水素基、二重結合、ヘテロ原子若しくは炭素数6〜30の芳香族基を有していてもよく、R2は、各々独立して、炭素数1〜10の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、炭素数6〜10のアリール基、炭素数2〜10のアルケニル基又は水酸基であり、但し、R2の少なくとも1つは水酸基であり、mは、各々独立して、1〜6の整数であり、nは、1〜4の整数である。)
リソグラフィー用下層膜形成材料。
IPC (4件)：
G03F 7/11 ( 200 6.01)
, G03F 7/26 ( 200 6.01)
, C07D 311/96 ( 200 6.01)
, C07D 311/78 ( 200 6.01)
G03F 7/11 503
, G03F 7/26 511
, C07D 311/96
, C07D 311/78
