特許
J-GLOBAL ID：200903029035030810

フォトレジスト下層膜形成材料及びパターン形成方法

発明者：
畠山 潤

畠山 潤 について

, 
藤井 俊彦

藤井 俊彦 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (4件)： 奥山 尚一 ,  有原 幸一 ,  松島 鉄男 ,  河村 英文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-143691
公開番号（公開出願番号）：特開2007-199653
出願日： 2006年05月24日
公開日（公表日）： 2007年08月09日
要約：
【課題】 多層レジストプロセス用、特には二層レジストプロセス用又は三層レジストプロセス用のレジスト下層膜材料であって、特に短波長の露光に対して、優れた反射防止膜として機能し、すなわち透明性が高く、最適なn値、k値を有し、しかも基板加工におけるエッチング耐性に優れたレジスト下層膜材料を提供する。【解決手段】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、少なくとも、ビスナフトール基を有する化合物、およびこのノボラック樹脂を含むことを特徴とするレジスト下層膜材料を提供する。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
下記一般式(1)
IPC (3件)：
G03F 7/11 ,  H01L 21/027 ,  G03F 7/26
FI (5件)：
G03F7/11 503 ,  G03F7/11 502 ,  H01L21/30 502R ,  H01L21/30 573 ,  G03F7/26 511
Fターム (27件)：
2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025CB32 ,  2H025DA34 ,  2H025DA39 ,  2H025FA35 ,  2H025FA41 ,  2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096CA05 ,  2H096CA06 ,  2H096EA03 ,  2H096EA05 ,  2H096EA23 ,  2H096HA07 ,  2H096HA23 ,  2H096JA04 ,  2H096KA06 ,  2H096KA08 ,  5F046NA01 ,  5F046NA07 ,  5F046NA17 ,  5F046NA18
引用特許：
出願人引用 (14件)
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審査官引用 (4件)
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