特許
J-GLOBAL ID：201603013148623266
カーボン系保護膜の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人 谷・阿部特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-512866
公開番号（公開出願番号）：特表2016-517996
出願日： 2013年11月14日
公開日（公表日）： 2016年06月20日
要約：
本発明の目的は、保護膜の劣化を防止すると同時に、耐食性を維持することができる、より小さな膜厚の保護膜の製造方法を提供することである。本発明のカーボン系保護膜の製造方法は、(a)基板上に、炭化水素ガスを含む原料ガスを用いたプラズマCVD法により、カーボン材料膜を形成する工程と、(b)アノードおよびカソードを有するプラズマ発生装置中で、窒素含有原料ガスから発生させたプラズマを用いて前記カーボン材料膜を窒化処理し、カーボン系保護膜を形成する工程とを含み、工程(b)において、アノード電位を20V以上とし、イオン加速電位差を20V〜120Vの範囲内とし、基板電流密度を4×10-6A/mm2〜8×10-6A/mm2の範囲内とすることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
(a) 基板上に、炭化水素ガスを含む原料ガスを用いたプラズマCVD法により、カーボン材料膜を形成する工程と、
(b) アノードおよびカソードを有するプラズマ発生装置中で、窒素含有原料ガスから発生させたプラズマを用いて前記カーボン材料膜を窒化処理し、カーボン系保護膜を形成する工程と
を含み、工程(b)において、アノード電位を20V以上とし、イオン加速電位差を20V〜120Vの範囲内とし、基板電流密度を4×10-6A/mm2〜8×10-6A/mm2の範囲内とすることを特徴とするカーボン系保護膜の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (8件)：
5D006AA02
, 5D006AA05
, 5D006FA01
, 5D112AA07
, 5D112BC05
, 5D112FA10
, 5D112FB20
, 5D112FB26
