特許
J-GLOBAL ID:200903030677014689

高度な四面体のアモルファス炭素の保護オーバーコートを有する記録媒体およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山本 秀策
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-543012
公開番号(公開出願番号):特表2000-512053
出願日: 1997年05月29日
公開日(公表日): 2000年09月12日
要約:
【要約】本発明は、改良されたダイヤモンド様炭素材料を、特に磁気記録媒体の製造用に堆積する、システムおよび方法を提供する。本発明のダイヤモンド様炭素材料は、高度な四面体である、すなわち、ダイヤモンド結晶格子内に見い出される多くのsp3炭素-炭素結合を特徴とする。材料はまた、非結晶であり、短い範囲のオーダーと長い範囲のオーダーとの組み合わせを提供し、公知の非結晶炭素コーティング材料よりも実質的に小さい厚みにおいて、超平滑であり連続的な膜として堆積し得る。本発明の炭素保護コーティングは、しばしば水素化される。これらの材料を堆積する好適な方法において、容量性カプリングは、高密度で誘導的にイオン化されたプラズマから、高度に均一で選択的に励起されたイオンストリームを形成する。このような誘導イオン化は、共振イオン化およびイオンビームの均質化を促進する、比較的遅く移動する(または「準静的」)磁界により向上される。
請求項(抜粋):
磁気記録媒体を製造する方法であって、 基板上に磁気層を形成する工程と、 ソース材料をイオン化して炭素を含むプラズマ含有イオンを生成する工程と、 該イオンを励起して該プラズマから該基板に向かうストリームを形成して、該イオンからの該炭素を該基板上に堆積する工程と、を含み、該イオンがsp3炭素-炭素結合の形成を促進するエネルギーで衝突する、方法。
IPC (4件):
G11B 5/84 ,  C23C 16/27 ,  G11B 5/72 ,  H01J 27/18
FI (4件):
G11B 5/84 B ,  C23C 16/26 A ,  G11B 5/72 ,  H01J 27/18
引用特許:
審査官引用 (10件)
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引用文献:
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