特許
J-GLOBAL ID:201603013767014703
表示装置の作製方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-084160
公開番号(公開出願番号):特開2016-170423
出願日: 2016年04月20日
公開日(公表日): 2016年09月23日
要約:
【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを具備する画素において、開口率の向上を図ることのできる発光表示装置を提供することを課題の一とする。【解決手段】薄膜トランジスタ、及び発光素子を有する複数の画素を有し、画素は、走査線として機能する第1の配線に電気的に接続されており、薄膜トランジスタは、第1の配線上にゲート絶縁膜を介して設けられた酸化物半導体層を有し、酸化物半導体層は、第1の配線が設けられた領域をはみ出て設けられており、発光素子と、酸化物半導体層とが重畳して設けられる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
走査線と、信号線と、第1の画素と、第2の画素と、を有し、
前記第1の画素は、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、第1の発光素子と、を有し、
前記第2の画素は、第2の発光素子を有し、
前記第1のトランジスタのゲートは、前記走査線と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記信号線と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第2のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソースまたはドレインは、前記第1の発光素子と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタは、第1の酸化物半導体層にチャネル形成領域を有し、
前記第2のトランジスタは、第2の酸化物半導体層にチャネル形成領域を有し、
前記第2の発光素子は、前記第1の酸化物半導体層と重なる領域を有する表示装置の作製方法であって、
前記第1の酸化物半導体層及び前記第2の酸化物半導体層は、脱水化または脱水素化された酸化物半導体層において、前記酸化物半導体層の一部の領域と接するように酸化物絶縁層を形成した後、加熱処理を行い、前記酸化物絶縁層から酸素を供給することによって形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
IPC (10件):
G09F 9/30
, G09F 9/00
, H01L 51/50
, H05B 33/10
, H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01L 21/823
, H01L 27/088
, H01L 27/08
, H01L 27/06
FI (10件):
G09F9/30 338
, G09F9/00 338
, H05B33/14 A
, H05B33/10
, H01L29/78 618B
, H01L29/78 619A
, H01L29/78 627F
, H01L27/08 102C
, H01L27/08 331E
, H01L27/06 102A
Fターム (91件):
3K107AA01
, 3K107BB01
, 3K107CC36
, 3K107EE03
, 5C094AA01
, 5C094BA03
, 5C094BA27
, 5C094DA13
, 5C094DB01
, 5C094FB14
, 5C094GB10
, 5C094HA08
, 5F048AB10
, 5F048AC01
, 5F048AC10
, 5F048BA14
, 5F048BA16
, 5F048BB03
, 5F048BB09
, 5F048BB11
, 5F048BC03
, 5F048BD10
, 5F048BF02
, 5F048BF07
, 5F048BF15
, 5F048BF16
, 5F110AA30
, 5F110BB02
, 5F110CC07
, 5F110DD02
, 5F110DD12
, 5F110EE01
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE06
, 5F110EE23
, 5F110EE38
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF04
, 5F110FF09
, 5F110FF28
, 5F110GG01
, 5F110GG06
, 5F110GG13
, 5F110GG14
, 5F110GG15
, 5F110GG22
, 5F110GG35
, 5F110GG43
, 5F110GG57
, 5F110GG58
, 5F110HK01
, 5F110HK03
, 5F110HK04
, 5F110HK06
, 5F110HK17
, 5F110HK18
, 5F110HK21
, 5F110HK22
, 5F110HL07
, 5F110HL22
, 5F110HL23
, 5F110HM04
, 5F110HM12
, 5F110NN03
, 5F110NN04
, 5F110NN05
, 5F110NN22
, 5F110NN23
, 5F110NN27
, 5F110NN28
, 5F110NN34
, 5F110NN35
, 5F110NN40
, 5F110NN71
, 5F110NN72
, 5F110NN78
, 5F110QQ02
, 5F110QQ05
, 5F110QQ06
, 5F110QQ09
, 5G435AA01
, 5G435BB05
, 5G435HH13
, 5G435KK05
, 5G435LL04
, 5G435LL07
, 5G435LL08
引用特許:
出願人引用 (2件)
-
表示装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-177455
出願人:セイコーエプソン株式会社
-
液晶表示装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-237692
出願人:株式会社東芝
審査官引用 (1件)
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