特許

J-GLOBAL ID：201603013790470325

ジエンの製造方法及び脱水素触媒

発明者： 松方 正彦 ,  木村 信啓 ,  一條 竜也 ,  足立 倫明
出願人/特許権者： JX日鉱日石エネルギー株式会社 ,  学校法人早稲田大学
代理人 (4件)： 長谷川 芳樹 ,  黒木 義樹 ,  清水 義憲 ,  平野 裕之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-205659
公開番号（公開出願番号）：特開2016-074622
出願日： 2014年10月06日
公開日（公表日）： 2016年05月12日
要約：

【課題】炭化水素化合物の脱水素により高い選択率でジエンを製造することができるジエンの製造方法を提供すること。【解決手段】 本発明の一側面に係るジエンの製造方法は、炭化水素化合物と脱水素触媒とを接触させて、炭化水素化合物を脱水素する工程を備え、脱水素触媒が、フォージャサイト型ゼオライトを含む担体と、担体に担持された周期表第10族元素と、を有する。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

炭化水素化合物と脱水素触媒とを接触させて、前記炭化水素化合物を脱水素する工程を備え、 前記脱水素触媒が、フォージャサイト型ゼオライトを含む担体と、前記担体に担持された周期表第10族元素と、を有する、 ジエンの製造方法。

IPC (5件)：

C07C 5/333 ,  B01J 29/12 ,  B01J 29/14 ,  B01J 29/16 ,  C07C 11/167

FI (5件)：

C07C5/333 ,  B01J29/12 Z ,  B01J29/14 Z ,  B01J29/16 Z ,  C07C11/167

Fターム (37件)：

4G169AA03 ,  4G169AA08 ,  4G169BA07A ,  4G169BA07B ,  4G169BC02A ,  4G169BC02B ,  4G169BC43A ,  4G169BC43B ,  4G169BC58A ,  4G169BC58B ,  4G169BC66A ,  4G169BC66B ,  4G169BC75A ,  4G169BC75B ,  4G169CB20 ,  4G169DA06 ,  4G169FA02 ,  4G169FB04 ,  4G169FB14 ,  4G169FB30 ,  4G169ZA04A ,  4G169ZA04B ,  4G169ZF05A ,  4G169ZF05B ,  4H006AA02 ,  4H006AC12 ,  4H006BA08 ,  4H006BA14 ,  4H006BA19 ,  4H006BA26 ,  4H006BA55 ,  4H006BA71 ,  4H006BC10 ,  4H006BC11 ,  4H006BC32 ,  4H039CA20 ,  4H039CC10