特許

J-GLOBAL ID：201603013892670221

半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者： 渡邉 正樹 ,  馬場 伸治 ,  徳永 宗治 ,  岩▲崎▼ 俊寛
出願人/特許権者： ルネサスエレクトロニクス株式会社
代理人 (4件)： 筒井 大和 ,  菅田 篤志 ,  筒井 章子 ,  坂次 哲也
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-061089
公開番号（公開出願番号）：特開2014-187186
特許番号：特許第5960633号
出願日： 2013年03月22日
公開日（公表日）： 2014年10月02日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 (a)複数の端子が配置された第1面と、前記第1面とは反対側の第2面とを有し、前記第1面の表面に絶縁膜が形成され、さらに前記第1面は、前記絶縁膜が開口されて成る第1領域と、平面視で前記第1領域の内側に位置する第2領域と、平面視で前記第1領域の外側に位置する第3領域とを有する配線基板を準備する工程と、 (b)複数の表面電極が形成された第1主面と、前記第1主面とは反対側の第2主面と を有し、前記複数の表面電極に突起電極が設けられた半導体チップを準備する工程と、 (c)前記半導体チップの複数の前記突起電極と、前記配線基板の前記複数の端子とを、接続部材を介してそれぞれ電気的に接続して前記配線基板の前記第1面に前記半導体チップをフリップチップ接続する工程と、 を有し、 前記配線基板の前記第1領域には、前記複数の端子と、前記第1領域を横断して前記第2領域と前記第3領域とに跨がる配線とが配置され、 前記配線は、前記第1領域を横断する第1部分と、前記第2領域または前記第3領域から露出して前記複数の端子のうちの一部の端子に接続する第2部分とを有し、 前記第2部分の前記端子には前記突起電極が搭載され、前記第1部分は前記配線より幅が広い幅広部を有する半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/60 ( 200 6.01) ,  H01L 23/12 ( 200 6.01) ,  H05K 3/34 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 21/60 311 S ,  H01L 23/12 Q ,  H05K 3/34 501 E

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 配線基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-116417   出願人：京セラSLCテクノロジー株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-145431   出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
• 配線基板及びその製造方法と半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-274011   出願人：新光電気工業株式会社