特許
J-GLOBAL ID:201203079184771370

配線基板

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-116417
公開番号(公開出願番号):特開2012-248550
出願日: 2011年05月25日
公開日(公表日): 2012年12月13日
要約:
【課題】各半導体素子接続パッド上の加熱溶融処理された金属層の高さに大きな違いが無く、半導体素子の電極と半導体素子接続パッドとを常に正常に接続することが可能な配線基板を提供すること。【解決手段】上面中央部に搭載部1aを有する絶縁基板1と、搭載部1aの外周部に内側の列と外側の列との2列の並びで設けられた多数の半導体素子接続パッド4と、絶縁基板1の上面に被着されており、半導体素子接続パッド4の2列の並びを露出させる開口部6aを有するソルダーレジスト層6と、内側の列の半導体素子接続パッド4に接続されており、開口部6a内を通って搭載部1aの外側に延びる引出配線3cと、半導体素子接続パッド4の表面に被着されており、加熱溶融処理された金属層7とを有する配線基板10であって、引出配線3cは、開口部6aよりも内側のソルダーレジスト層6の下で半導体素子接続パッド4に接続されている。【選択図】図2
請求項(抜粋):
上面中央部に半導体素子が搭載される搭載部を有する絶縁基板と、前記搭載部の外周部に内側の列と外側の列との2列の並びで設けられた多数の半導体素子接続パッドと、前記絶縁基板の上面に被着されており、前記半導体素子接続パッドの2列の並びを露出させる枠状の開口部を有するソルダーレジスト層と、前記内側の列の半導体素子接続パッドに接続されており、前記開口部内を通って前記搭載部の外側に延びる引出配線と、前記半導体素子接続パッドの表面に被着されており、加熱溶融処理された金属層とを有する配線基板であって、前記引出配線は、前記開口部よりも内側の前記ソルダーレジスト層の下で前記内側の列の半導体素子接続パッドに接続されていることを特徴とする配線基板。
IPC (2件):
H01L 23/12 ,  H05K 3/34
FI (4件):
H01L23/12 F ,  H01L23/12 501B ,  H05K3/34 501E ,  H05K3/34 502E
Fターム (6件):
5E319AA03 ,  5E319AB05 ,  5E319AC11 ,  5E319BB04 ,  5E319CC33 ,  5E319GG03
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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