特許
J-GLOBAL ID：201603014336883905

光半導体装置及びその製造方法

発明者：
藤友 正人

藤友 正人 について

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玉置 寛人

玉置 寛人 について

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西島 慎二

西島 慎二 について

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反田 祐一郎

反田 祐一郎 について

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三木 倫英

三木 倫英 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


代理人 (2件)： 鮫島 睦 ,  田村 啓
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-260853
公開番号（公開出願番号）：特開2014-090193
特許番号：特許第6007891号
出願日： 2013年12月18日
公開日（公表日）： 2014年05月15日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 光半導体装置であって、 光半導体素子と、 下面が前記光半導体装置の外表面を形成し、厚みが25μm〜200μmである第1の導電部材と、 前記第1の導電部材から離間し、下面が前記光半導体装置の外表面を形成し、厚みが25〜200μmである第2の導電部材と、 前記光半導体素子からの光に対する反射率が60%以上である遮光性樹脂からなり、前記第1の導電部材と前記第2の導電部材との間を遮光するように設けられた基体と、を有する光半導体装置であって、 前記光半導体素子の正電極及び負電極は、各々、前記第1の導電部材及び前記第2の導電部材に導電性ワイヤを介さずに接合しており、 前記基体には、前記遮光性樹脂からなり、前記第1の導電部材及び前記第2の導電部材の上面より突出した突出部が形成され、前記突出部は前記光半導体装置の外側面となるとともに、前記光半導体素子の側面に向かって前記光半導体素子に達するまで延びていることを特徴とする光半導体装置。
IPC (1件)：
H01L 33/62 ( 201 0.01)
FI (1件)：
H01L 33/62
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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