特許
J-GLOBAL ID：201603014397234900
成膜装置及び成膜方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 俊夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-152940
公開番号（公開出願番号）：特開2014-017331
特許番号：特許第5953994号
出願日： 2012年07月06日
公開日（公表日）： 2014年01月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 真空容器内にて、回転テーブルの一面側に配置された基板を当該回転テーブルにより公転させ、互いに異なる処理ガスを順番に供給するサイクルを複数回繰り返して反応生成物の層を積層して薄膜を得る成膜装置において、
前記基板にシリコンを含む第1の処理ガスを吸着させるために、前記基板に対して第1の処理ガスを供給する第1の処理ガス供給部と、
この第1の処理ガス供給部に対して前記回転テーブルの回転方向に離間して設けられ、基板に吸着した第1の処理ガスを酸化してシリコン酸化物を生成するために、酸素を活性化して得られた活性種を含む第2の処理ガスを供給するための第2の処理ガス供給部と、
前記回転テーブルの周方向において前記第1の処理ガス供給部と第2の処理ガス供給部との間に設けられ、第1の処理ガスと第2の処理ガスとの混合を避けるための分離領域と、
前記回転テーブルの下方側に設けられた主加熱機構と、
前記回転テーブル上の基板の通過領域と対向するように当該回転テーブルの上方側に設けられ、基板の吸収波長領域の光を照射して当該基板を加熱する加熱ランプからなる補助加熱機構と、
前記主加熱機構により前記回転テーブルを加熱することにより当該回転テーブルを介して基板を下方側から加熱するステップと、前記補助加熱機構から、前記主加熱機構により加熱された基板に前記光を照射して当該基板を輻射熱によりオゾンガスが熱分解する温度以上の処理温度に直接加熱するステップと、を実行するように構成された制御部と、を備え、
装置の性能上許容される回転テーブルの最高温度はオゾンガスが熱分解する温度よりも低い温度であり、
前記処理温度にて、前記第1の処理ガスが基板に吸着し、吸着された第1の処理ガスが第2の処理ガスにより酸化されることを特徴とする成膜装置。
IPC (5件)：
H01L 21/31 ( 200 6.01)
, H01L 21/316 ( 200 6.01)
, C23C 16/42 ( 200 6.01)
, C23C 16/455 ( 200 6.01)
, C23C 16/46 ( 200 6.01)
H01L 21/31 B
, H01L 21/31 C
, H01L 21/316 C
, C23C 16/42
, C23C 16/455
, C23C 16/46
