特許
J-GLOBAL ID：201003008190393027
成膜装置、成膜方法及び記憶媒体
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-095210
公開番号（公開出願番号）：特開2010-245448
出願日： 2009年04月09日
公開日（公表日）： 2010年10月28日
要約：
【課題】真空容器内にて互いに反応する少なくとも2種類の反応ガスを順番に回転テーブル上の基板の表面に供給しかつこの供給サイクルを実行することにより反応生成物の層を積層して薄膜を形成するにあたり、基板の表面に形成された凹部内に薄膜を良好に埋め込むこと。【解決手段】ウェハWを載置した回転テーブル2を鉛直軸回りに回転させることによって、ウェハWの表面に第1の反応ガスを供給してこの反応ガスを吸着させ、次いでこの第1の反応ガスと反応して流動性を持つ中間生成物を生成する補助ガス及びこの中間生成物と反応して反応生成物を生成する第2のガスをこの順番でウェハWの表面に供給し、その後ウェハWを加熱ランプ210により加熱して反応生成物を緻密化する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
真空容器内のテーブル上に基板を載置すると共に、前記テーブルと、互いに反応する少なくとも2種類の反応ガスを夫々供給する複数の反応ガス供給手段と、を相対的に回転させることによって基板に対して前記少なくとも2種類の反応ガスを順番に供給し、かつこの供給サイクルを実行することにより反応生成物の層を積層して薄膜を形成する成膜装置において、
前記真空容器内のテーブルの表面に基板を載置するために設けられた基板載置領域と、
前記複数の反応ガス供給手段から夫々反応ガスが供給される複数の処理領域を基板が順番に位置するように前記テーブルと前記複数の反応ガス供給手段とを相対的に回転させる回転機構と、
前記テーブル上の基板載置領域に対向するように設けられ、前記基板に第1の反応ガスを供給してこの第1の反応ガスを吸着させるための第1の反応ガス供給手段と、
前記テーブル上の基板載置領域に対向するようにかつ前記テーブルの周方向において前記第1の反応ガス供給手段よりも前記複数のガス供給手段に対する前記テーブルの相対的回転方向下流側に離間して設けられ、前記基板に吸着した前記第1の反応ガスと反応して流動性を持つ中間生成物を生成する補助ガスを前記基板に供給するための補助ガス供給手段と、
前記テーブル上の基板載置領域に対向するようにかつ前記テーブルの周方向において前記補助ガス供給手段よりも前記相対的回転方向下流側に設けられ、前記基板上の前記中間生成物と反応して反応生成物を生成する第2の反応ガスを前記基板に供給するための第2の反応ガス供給手段と、
前記テーブル上の基板載置領域に対向するようにかつ前記テーブルの周方向において前記第2の反応ガス供給手段よりも前記相対的回転方向下流側であって前記第1の反応ガス供給手段よりも前記相対的回転方向上流側に設けられ、前記反応生成物を緻密化するために前記基板を加熱する加熱手段と、を備えたことを特徴とする成膜装置。
IPC (3件)：
H01L 21/31
, H01L 21/316
, C23C 16/455
H01L21/31 B
, H01L21/316 X
, C23C16/455
4K030AA06
, 4K030AA10
, 4K030AA11
, 4K030AA13
, 4K030AA18
, 4K030AA24
, 4K030BA44
, 4K030CA04
, 4K030EA06
, 4K030FA03
, 4K030FA10
, 4K030GA02
, 4K030GA06
, 4K030HA01
, 4K030KA08
, 4K030KA41
, 5F045AA08
, 5F045AA15
, 5F045AB32
, 5F045AC07
, 5F045BB14
, 5F045DP03
, 5F045DP14
, 5F045EB02
, 5F045EF03
, 5F045EH18
, 5F045EK11
, 5F045HA16
, 5F058BC02
, 5F058BF02
, 5F058BF37
, 5F058BF54
, 5F058BF73
, 5F058BH07
, 5F058BH08
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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