特許
J-GLOBAL ID：201603014936114018

半導体装置

発明者：
中埜 肇

中埜 肇 について

, 
杉川 舞

杉川 舞 について

, 
野田 耕生

野田 耕生 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-079460
公開番号（公開出願番号）：特開2012-216834
特許番号：特許第5986776号
出願日： 2012年03月30日
公開日（公表日）： 2012年11月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 ゲート電極と、 前記ゲート電極上方のゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上方の第1の金属酸化物膜と、 前記第1の金属酸化物膜に接する領域を有するソース電極と、 前記第1の金属酸化物膜に接する領域を有するドレイン電極と、 前記ソース電極上方及び前記ドレイン電極上方の第1の絶縁膜と、 前記第1の絶縁膜上方の第2の金属酸化物膜と、 前記第2の金属酸化物膜上方の第2の絶縁膜と、を有する半導体装置。
IPC (17件)：
H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 29/417 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8242 ( 200 6.01) ,  H01L 27/108 ( 200 6.01) ,  H01L 29/788 ( 200 6.01) ,  H01L 29/792 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8247 ( 200 6.01) ,  H01L 27/115 ( 200 6.01) ,  H01L 27/105 ( 200 6.01) ,  H01L 27/10 ( 200 6.01) ,  H01L 21/28 ( 200 6.01) ,  H01L 21/283 ( 200 6.01) ,  G02F 1/1368 ( 200 6.01) ,  H01L 21/205 ( 200 6.01) ,  H01L 21/31 ( 200 6.01) ,  H01L 21/316 ( 200 6.01)
FI (19件)：
H01L 29/78 619 A ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 617 T ,  H01L 29/78 617 U ,  H01L 29/50 M ,  H01L 27/10 615 ,  H01L 27/10 671 C ,  H01L 27/10 671 Z ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 27/10 441 ,  H01L 27/10 481 ,  H01L 21/28 301 B ,  H01L 21/283 C ,  G02F 1/136 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316 M
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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