半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-048612
公開番号（公開出願番号）：特開2010-232651
出願日： 2010年03月05日
公開日（公表日）： 2010年10月14日
要約：

【課題】開口率の高い半導体装置又はその作製方法を提供することを目的の一とする。また、消費電力の低い半導体装置又はその作製方法を提供することを目的の一とする。【解決手段】絶縁表面を有する基板上に設けられた半導体層と、半導体層を覆うゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられた第1の導電層と第2の導電層とで積層されたゲート電極を含むゲート配線と、半導体層と前記ゲート電極を含む前記ゲート配線を覆う絶縁膜と、絶縁膜上に設けられ、半導体層と電気的に接続され、第3の導電層と第4の導電層とで積層されたソース電極を含むソース配線と、を有し、ゲート電極は、第1の導電層で形成され、ゲート配線は、第1の導電層と第2の導電層で形成され、ソース電極は、第3の導電層で形成され、ソース配線は、第3の導電層と第4の導電層で形成されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁面を有する基板上に設けられた半導体層と、前記半導体層と電気的に接続された第1の電極又はドレイン電極を含む第1の配線と、前記半導体層と前記第1の電極又はドレイン電極を覆うように形成された絶縁膜と、前記半導体層上に前記絶縁膜を介して設けられた第2の電極を含む第2の配線とを有し、前記第1の電極は、第1の導電層を有し、前記第1の配線は、前記第1の導電層と第2の導電層を有し、前記第2の電極は、第3の導電層を有し、前記第2の配線は、前記第3の導電層と第4の導電層とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (9件)：

H01L 29/786 , H01L 29/417 , H01L 29/47 , H01L 29/872 , H01L 21/768 , H01L 21/320 , H01L 23/52 , G02F 1/136 , G09F 9/30

FI (13件)：

H01L29/78 616U , H01L29/78 612C , H01L29/78 616V , H01L29/78 618B , H01L29/78 617L , H01L29/78 617M , H01L29/50 M , H01L29/48 D , H01L21/90 C , H01L21/88 R , H01L21/88 N , G02F1/1368 , G09F9/30 338

Fターム (191件)：

2H092GA51 , 2H092GA59 , 2H092GA60 , 2H092HA04 , 2H092JA03 , 2H092JA25 , 2H092JA35 , 2H092JA40 , 2H092JA44 , 2H092JB24 , 2H092JB33 , 2H092JB54 , 2H092JB58 , 2H092JB69 , 2H092KA08 , 2H092KA12 , 2H092KA19 , 2H092KA22 , 2H092KB05 , 2H092KB14 , 2H092KB25 , 2H092MA05 , 2H092MA08 , 2H092MA14 , 2H092MA15 , 2H092MA19 , 2H092MA20 , 2H092NA07 , 2H092NA22 , 2H092NA28 , 2H092PA01 , 2H092PA06 , 2H092PA08 , 2H092QA07 , 2H092QA08 , 2H092QA09 , 2H092QA10 , 2H092QA13 , 2H092QA14 , 4M104AA01 , 4M104AA04 , 4M104AA08 , 4M104AA09 , 4M104AA10 , 4M104BB30 , 4M104BB36 , 4M104BB39 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD62 , 4M104DD63 , 4M104DD78 , 4M104DD86 , 4M104FF08 , 4M104GG03 , 4M104GG04 , 4M104GG06 , 4M104GG09 , 4M104HH14 , 5C094AA22 , 5C094BA03 , 5C094BA27 , 5C094BA43 , 5C094BA75 , 5C094DA13 , 5C094EA10 , 5C094FB12 , 5C094FB14 , 5C094GB10 , 5C094HA08 , 5F033GG02 , 5F033GG04 , 5F033HH09 , 5F033HH12 , 5F033HH13 , 5F033HH14 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH20 , 5F033HH21 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033HH38 , 5F033JJ01 , 5F033JJ35 , 5F033JJ38 , 5F033KK09 , 5F033KK12 , 5F033KK13 , 5F033KK14 , 5F033KK18 , 5F033KK19 , 5F033KK20 , 5F033KK21 , 5F033KK33 , 5F033KK34 , 5F033KK35 , 5F033KK38 , 5F033MM08 , 5F033MM13 , 5F033MM19 , 5F033MM20 , 5F033PP15 , 5F033PP19 , 5F033QQ01 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ37 , 5F033RR03 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033RR22 , 5F033RR23 , 5F033SS08 , 5F033TT04 , 5F033VV06 , 5F033VV13 , 5F033VV15 , 5F033XX10 , 5F033XX28 , 5F033XX32 , 5F033XX34 , 5F110AA03 , 5F110AA16 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110BB05 , 5F110CC01 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE14 , 5F110EE28 , 5F110EE30 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG02 , 5F110GG04 , 5F110GG05 , 5F110GG06 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG25 , 5F110GG39 , 5F110GG43 , 5F110HJ01 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK33 , 5F110HL22 , 5F110HL23 , 5F110HM03 , 5F110HM04 , 5F110HM12 , 5F110HM14 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN12 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN73 , 5F110PP03 , 5F110PP34 , 5F110QQ02 , 5F110QQ06 , 5F110QQ19 , 5F110QQ23

引用特許：

審査官引用 (3件)

半導体装置、電気光学装置、電子機器、半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-188614 出願人：セイコーエプソン株式会社
画像表示装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-286235 出願人：株式会社日立ディスプレイズ
酸化物膜をチャネルに用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-074630 出願人：キヤノン株式会社

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