特許

J-GLOBAL ID：201603014955379499

半導体装置、及び電子機器

発明者： 松嵜 隆徳 ,  宮口 厚
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-233040
公開番号（公開出願番号）：特開2016-149174
出願日： 2015年11月30日
公開日（公表日）： 2016年08月18日
要約：

【課題】記憶容量を向上させるとともに、データの信頼性に優れた半導体装置とすること。回路面積を縮小し、小型化された半導体装置を提供すること。【解決手段】メモリセルは、多値のデータを記憶できる第1及び第2のデータ保持部を有する。第1のデータ保持部には第1の配線から、データ電圧を読み出すためのトランジスタ、及び第2の配線を介してデータ電圧を書きこみ、第2のデータ保持部には第2の配線から、データ電圧を読み出すためのトランジスタ、及び第1の配線を介してデータ電圧を書きこむ構成とする。該構成とすることで、第1及び第2のデータ保持部には、データ電圧を読み出すためのトランジスタの閾値電圧だけ低下したデータ電圧を保持することができる。書きこまれたデータ電圧は、第1の配線をプリチャージして放電させることで、トランジスタの閾値電圧を相殺して読み出すことができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

メモリセルと、第1の配線と、第2の配線と、を有する半導体装置であって、 前記メモリセルは、第1乃至第4のトランジスタと、第1及び第2の容量素子と、を有し、 前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第1の配線に電気的に接続され、 前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第2の配線に電気的に接続され、 前記メモリセルは、前記第2の容量素子と、前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方と、前記第4のトランジスタのソース又はドレインの一方と、が電気的に接続された第1のデータ保持部を有し、 前記メモリセルは、前記第1の容量素子と、前記第1のトランジスタのゲートと、前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方と、前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方と、が電気的に接続された第2のデータ保持部を有し、 前記第1のデータ保持部は、前記第1の配線から、前記第1のトランジスタ、前記第2の配線、及び前記第4のトランジスタのソース又はドレインの他方を介して第1のデータ電圧が書きこまれる機能を有し、 前記第2のデータ保持部は、前記第2の配線から、前記第1のトランジスタ、前記第1の配線、及び前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方を介して第2のデータ電圧が書きこまれる機能を有する半導体装置。

IPC (7件)：

G11C 11/405 ,  G11C 11/56 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088

FI (8件)：

G11C11/34 352B ,  G11C11/34 381A ,  H01L27/10 321 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 613B ,  H01L29/78 613Z ,  H01L27/08 102E ,  H01L27/08 102H

Fターム (84件)：

5F048AB01 ,  5F048AC01 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BA10 ,  5F048BA14 ,  5F048BA19 ,  5F048BA20 ,  5F048BB02 ,  5F048BD01 ,  5F048BD06 ,  5F048BF15 ,  5F048BF16 ,  5F048BG13 ,  5F048CB01 ,  5F048CB02 ,  5F048CB03 ,  5F048CB04 ,  5F048CB10 ,  5F083AD02 ,  5F083AD21 ,  5F083AD69 ,  5F083GA10 ,  5F083HA06 ,  5F083JA56 ,  5F083JA60 ,  5F083NA01 ,  5F083PR21 ,  5F083ZA21 ,  5F110BB05 ,  5F110CC01 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD21 ,  5F110DD24 ,  5F110EE22 ,  5F110EE30 ,  5F110EE38 ,  5F110EE42 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG16 ,  5F110GG19 ,  5F110GG30 ,  5F110GG34 ,  5F110GG35 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HM02 ,  5F110HM05 ,  5F110HM17 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN24 ,  5F110NN28 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110NN74 ,  5F110NN77 ,  5F110PP35 ,  5M024AA37 ,  5M024AA70 ,  5M024BB02 ,  5M024CC04 ,  5M024CC10 ,  5M024HH01 ,  5M024PP01 ,  5M024PP03 ,  5M024PP04 ,  5M024PP05 ,  5M024PP09 ,  5M024PP10

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2014-042287   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2014-048306   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所