特許
J-GLOBAL ID：201603015043350909

半導体基板

発明者：
佐沢 洋幸

佐沢 洋幸 について

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本多 祥晃

本多 祥晃 について

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清水 三聡

清水 三聡 について

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朴 冠錫

朴 冠錫 について


出願人/特許権者：
住友化学株式会社

住友化学株式会社 について

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国立研究開発法人産業技術総合研究所

国立研究開発法人産業技術総合研究所 について


代理人 (2件)： 龍華国際特許業務法人 ,  林 茂則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-001405
公開番号（公開出願番号）：特開2016-135736
出願日： 2016年01月06日
公開日（公表日）： 2016年07月28日
要約：
【課題】シリコン基板上にGaN結晶を成長させた反りの抑制された基板の提供。【解決手段】ベース基板102、第1、第2、第3、第4の結晶層104,106,204,206、機能層108がこの順に配置され、第1と第2の結晶層、及び、第3と第4の結晶層とが格子整合して接し、第2と第3の結晶層とが互いに接し、機能層108の熱膨張係数がベース基板102より大きく、第1結晶層104の格子定数が第2結晶層106より小さく、第3結晶層204の格子定数が第4結晶層206より小さく、第1、第2結晶層の界面(第1界面)、第2、第3結晶層の界面(第2界面)、第3、第4結晶層の界面(第3界面)を同一視野に含んで断面TEM像を観察した場合、第1界面を含む第1モアレ画像118の面積が第2界面を含む第2モアレ画像120の面積より小さく、第3界面を含む第3モアレ画像210の面積が第2モアレ画像の面積より小さい半導体基板200。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
ベース基板と、第1結晶層と、第2結晶層と、第3結晶層と、第4結晶層と、機能層とを有し、 前記ベース基板、前記第1結晶層、前記第2結晶層および前記機能層と、前記第3結晶層および前記第4結晶層とが、前記ベース基板、前記第1結晶層、前記第2結晶層、前記第3結晶層、前記第4結晶層、前記機能層の順に配置され、 前記第1結晶層と前記第2結晶層とが格子整合または擬格子整合して接し、 前記第2結晶層と前記第3結晶層とが互いに接し、 前記第3結晶層と前記第4結晶層とが格子整合または擬格子整合して接し、 前記機能層の熱膨張係数が、前記ベース基板の熱膨張係数より大きく、 前記第1結晶層の格子定数が、前記第2結晶層の格子定数より小さく、 前記第3結晶層の格子定数が、前記第4結晶層の格子定数より小さく、 前記第1結晶層および前記第2結晶層が互いに接する第1界面と、前記第2結晶層および前記第3結晶層が互いに接する前記第2界面と、前記第3結晶層および前記第4結晶層が互いに接する第3界面とを、同一視野に含んで断面TEM像を観察した場合、前記第1界面を含んで観察される第1モアレ画像の面積が、前記第2界面を含んで観察される第2モアレ画像の面積より小さく、前記第3界面を含んで観察される第3モアレ画像の面積が、前記第2モアレ画像の面積より小さい 半導体基板。
IPC (6件)：
C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  C23C 16/30 ,  C23C 16/34 ,  C30B 25/18 ,  H01L 21/20
FI (6件)：
C30B29/38 D ,  H01L21/205 ,  C23C16/30 ,  C23C16/34 ,  C30B25/18 ,  H01L21/20
Fターム (56件)：
4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077ED06 ,  4G077EF03 ,  4G077EF04 ,  4G077HA12 ,  4G077TB05 ,  4G077TC14 ,  4G077TC19 ,  4G077TK01 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030JA06 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030LA14 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AE25 ,  5F045AF03 ,  5F045BB11 ,  5F045CA02 ,  5F045CA10 ,  5F045CB02 ,  5F045DA53 ,  5F045DA58 ,  5F045DA69 ,  5F152LL05 ,  5F152LN03 ,  5F152LN05 ,  5F152MM10 ,  5F152MM18 ,  5F152NN03 ,  5F152NN17 ,  5F152NN27 ,  5F152NN29 ,  5F152NP09 ,  5F152NQ09
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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