特許

J-GLOBAL ID：200903021778073300

半導体構造とそれを備えた半導体素子及び結晶成長方法

発明者： 石川 博康 ,  江川 孝志 ,  梅野 正義 ,  阿久津 仲男 ,  松本 功
出願人/特許権者： 名古屋工業大学長 ,  日本酸素株式会社
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-084934
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277441
出願日： 1999年03月26日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：

【要約】【課題】 シリコン基板上に素子を形成できる程良好な結晶性を有する窒化ガリウム系の化合物半導体を成長させることができ、その結果、シリコン基板上に形成された半導体素子を高性能化、高信頼化することができる半導体構造とそれを備えた半導体素子及び結晶成長方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板1上に、窒化ガリウム系の化合物半導体からなる第1の半導体層3を形成してなる半導体構造において、シリコン基板1と第1の半導体層3との間に、高融点材料からなる第2の半導体層2を形成してなることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に、窒化ガリウム系の化合物半導体からなる第1の半導体層を形成してなる半導体構造において、前記シリコン基板と前記第1の半導体層との間に、高融点材料からなる第2の半導体層を形成してなることを特徴とする半導体構造。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/20 ,  H01L 33/00

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/20 ,  H01L 33/00 C

Fターム (37件)：

4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA26 ,  4K030BA38 ,  4K030BB13 ,  4K030CA04 ,  4K030DA03 ,  4K030HA01 ,  4K030JA06 ,  4K030JA10 ,  4K030LA14 ,  5F041AA40 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB19 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD14 ,  5F045AF03 ,  5F045BB01 ,  5F045BB04 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045DA53 ,  5F045DA57 ,  5F045HA06 ,  5F052KA02 ,  5F052KA05

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 窒化物薄膜単結晶及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-137228   出願人：住友電気工業株式会社
• 3族窒化物半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-214003   出願人：豊田合成株式会社
• GaN系の半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-280711   出願人：豊田合成株式会社